[發明專利]一種雙曲回音壁納腔及其制備方法與應用在審
| 申請號： | 202211542175.6 | 申請日： | 2022-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN115857074A | 公開（公告）日： | 2023-03-28 |
| 發明（設計）人： | 戴慶;郭相東;楊曉霞;吳晨晨;張姝;戴小康;段諭 | 申請（專利權）人： | 國家納米科學中心 |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 劉二艷 |
| 地址： | 100190 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 回音壁 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種雙曲回音壁納腔的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：
使用雙曲層狀材料構筑納腔結構，得到所述雙曲回音壁納腔。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述構筑的方法包括化學氣相沉積法或微納加工法。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述雙曲層狀材料包括自然雙曲材料和/或人工雙曲材料。
4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述自然雙曲材料包括二維范德華材料；
優選地，所述二維范德華材料包括六方氮化硼和/或氧化鉬。
5.根據權利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，所述人工雙曲材料包括周期性交替的Ag/SiO2和/或周期性交替的Au/SiO2。
6.一種由權利要求1-5任一項所述制備方法得到的雙曲回音壁納腔，其特征在于，所述雙曲回音壁納腔為具有雙曲等能面的納腔；
所述雙曲回音壁納腔的側壁厚度≥3nm。
7.根據權利要求6所述的雙曲回音壁納腔，其特征在于，所述雙曲回音壁納腔的形貌包括中空環形納腔、圓盤納腔、圓孔納腔、圓臺納腔或球形納腔中的任意一種；
優選地，所述中空環形納腔的內徑≥4nm，優選為4-100nm；
優選地，所述中空環形納腔的內徑≥4nm，優選為4-100nm；
優選地，所述球形納腔的直徑≥20nm，優選為20-200nm。
8.一種雙曲回音壁納腔器件，其特征在于，所述雙曲回音壁納腔器件包括襯底，以及放置于襯底之上的如權利要求6或7所述的雙曲回音壁納腔。
9.根據權利要求8所述的雙曲回音壁納腔器件，其特征在于，所述襯底的材質包括二氧化硅、氟化鈣或導電硅中的任意一種。
10.根據權利要求8或9所述的雙曲回音壁納腔器件，其特征在于，所述襯底均勻分布通孔。
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