[發明專利]用于形成FET器件的方法

在審

• 申請號: 202211540722.7
• 申請日: 2022-12-02
• 公開（公告）號: CN116230542A
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 曾文德;堀口直人;J·雷恰特
• 申請（專利權）人: IMEC非營利協會
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 蔡悅;楊潔

1.一種用于形成場效應晶體管器件(100；200)的方法，所述方法包括：

形成鰭結構(1010；2010)，所述鰭結構包括層堆疊，所述層堆疊包括溝道層(1004；2004)和與所述溝道層(1003；2004)交替的非溝道層(1022、1006；2022)，所述鰭結構(1010；2020)包括第一鰭部(1010s；2010s)、第二鰭部(1010d；2010d)和位于所述第一鰭部和第二鰭部之間的第三鰭部(1010c；2010c)；

從所述鰭結構(1010；2010)的第一和第二相對側(1010a、1010b；2010a、2010b)的每一者橫向地蝕刻所述第一鰭部和第二鰭部(1010s、1010d；2010s、2010d)中的每一者，使得在所述層堆疊的第一組層中形成延伸穿過所述第一鰭部的一組源極腔(1048；2048)，并且使得在所述層堆疊的所述第一組層中形成延伸穿過所述第二鰭部的一組漏極腔(1048；2048)；

用虛設材料(1049)填充所述源極腔和所述漏極腔(1048；2048)；

在從所述第二側(1010b；2010b)掩蔽所述鰭結構的同時：

-通過從所述第一側(1010a；2010a)進行蝕刻來從所述源極腔和所述漏極腔去除所述虛設材料，以及

-隨后，形成源極主體和漏極主體(1120s、1120d；2120s、2120d)，每一者包括沿所述第一側(1010a；2010a)的相應公共主體部分(1122)和分別從所述相應公共主體部突出進入所述源極腔和所述漏極腔中并鄰接所述溝道層(1004；2004)的一組叉齒(1124)；以及

在從所述第一側(1010a；2010a)掩蔽所述鰭結構的同時：

-從所述第二側(1010b；2010b)橫向地蝕刻所述第三鰭部(1010c；2010c)，使得在所述層堆疊的第二組層中形成延伸穿過所述第三鰭部的一組柵極腔(1060；2060)，所述第二組層不同于所述第一組層，以及

-隨后，形成柵極主體(1140；2140)，所述柵極主體包括沿所述第二側的公共柵極主體部分(1142；2142)和從所述公共柵極主體部分突出進入所述柵極腔(1160；2160)中的一組柵極叉齒(1144；2144)。

2.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其特征在于，所述溝道層(1004)是溝道材料的，并且所述非溝道層是交替的第一層材料的第一非溝道層(1022)和第二層材料的第二非溝道層(1006)，以及

其中所述蝕刻所述第一鰭部(1010s)和所述第二鰭部(1010d)以形成所述源極腔和漏極腔(1048)包括選擇性地蝕刻所述第一層材料，以及

其中所述蝕刻所述第三鰭部(1010c)以形成所述柵極腔(1060)包括選擇性地蝕刻所述第二層材料。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一層材料是第一介電材料。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述鰭結構(1010)包括：

形成初步鰭結構(1010)，所述初步鰭結構包括所述溝道層(1004)和與所述溝道層(1004)交替的非溝道層，所述非溝道層是交替的犧牲半導體材料的犧牲層(1002)和所述第二層材料的第二非溝道層；

形成與所述初步鰭結構(1010)鄰接的支撐結構(1014)；以及

在所述支撐結構支撐所述初步鰭結構的同時，將所述犧牲層(1002)替換成所述第一非溝道層(1022)。

5.根據權利要求2-4中的任一項所述的方法，其特征在于，還包括，在形成所述源極腔和漏極腔(1048)之前：

從所述第一和第二側(1010a、1010b)中的每一者橫向地蝕刻所述第一鰭部和第二鰭部(1010s、1010d)中的每一者，使得在所述第二非溝道層(1006)中形成延伸穿過所述第一鰭部和第二鰭部的一組腔(1032)，以及

用第二介電材料填充所述腔(1032)以在所述腔(103)中形成第二介電層(1034)。