[發明專利]一種高效的背接觸P型太陽能電池結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202211525767.7
• 申請日: 2022-11-30
• 公開（公告）號: CN115954398A
• 公開（公告）日: 2023-04-11
• 發明（設計）人: 歐文凱;董思敏;向亮睿
• 申請（專利權）人: 普樂新能源科技（泰興）有限公司
• 主分類號: H01L31/0288
• 分類號: H01L31/0288;H01L31/0216;H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 蘇州創策知識產權代理有限公司 32322
• 代理人: 馮燕云

1.一種高效的背接觸P型太陽能電池結構，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底為摻鎵P型硅；所述襯底的背面具有N區和P區，所述P區的邊緣處為鏤空結構，通過所述鏤空結構實現N區和P區的分隔；所述襯底的正面從背面至正面依次涂覆有氧化鋁和鈍化層；

其中，所述N區從正面至背面依次涂覆有隧穿氧化層、氧化鈦層、氧化鋁和鈍化層；所述P區從正面至背面依次涂覆有氧化鋁和鈍化層。

2.根據權利要求1所述的一種高效的背接觸P型太陽能電池結構，其特征在于，還包括：

正電極，垂直設于所述P區；所述正電極與所述襯底之間為局部接觸；

負電極，處置設于所述N區；所述負電極與所述襯底無直接接觸。

3.制備如權利要求1所述的一種高效的背接觸P型太陽能電池結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、將襯底進行清洗拋光；于襯底的背面生長隧穿氧化層及氧化鈦；

步驟二、按照預定圖形使用激光開膜的方式將背表面生長的部分隧穿氧化層及氧化鈦開掉，分別得到N區和P區；

步驟三、清洗，并在襯底的正面堿制成絨面，將絨面反射率控制在11％以內；與襯底的正、背面依次生長氧化鋁和鈍化層；

步驟四、按照預定圖形再次使用激光開膜，將背表面P區邊緣處生長的氧化鋁及鈍化層開掉，實現P區和N區的分隔；

步驟五、絲網印刷正負電極，N區印刷負電極Ag漿，P區印刷正電極Al漿及燒結；

步驟六、光注入。

4.根據權利要求3所述的一種高效的背接觸P型太陽能電池結構的制備方法，其特征在于，所述襯底為摻鎵P型硅料，通過清洗拋光處理后，所述表面反射率達到34％以上。

5.根據權利要求3所述的一種高效的背接觸P型太陽能電池結構的制備方法，其特征在于，所述步驟一中的隧穿氧化層及氧化鈦采用ALD或LPCVD任一種方式進行生長，其中隧穿氧化層的厚度為1-2nm，氧化鈦的厚度為6-20nm。

6.根據權利要求2所述的一種高效的背接觸P型太陽能電池結構的制備方法，其特征在于，所述步驟二中的激光開膜的參數如下：激光功率為20-35W，打標速度40000-60000mm/s，頻率在100KHz-200KHz。

所述步驟四中的激光開膜的參數如下：激光功率為30-40W，打標速度40000-60000mm/s，頻率在20KHz-150KHz。

7.根據權利要求3所述的一種高效的背接觸P型太陽能電池結構的制備方法，其特征在于，當采用ALD方式在硅片正、背面進行氧化鋁沉積，其生長源為TMA與H2O或TMA與O3，氧化鋁生長厚度為3-10nm。

8.根據權利要求3所述的一種高效的背接觸P型太陽能電池結構的制備方法，其特征在于，當采用PECVD的方式在硅片正、背面生長鈍化層，其生長源為氮化硅、氮氧化硅、氧化硅的任意一種或幾種組合，其中鈍化層的厚度為70-90nm。

9.根據權利要求3所述的一種高效的背接觸P型太陽能電池結構的制備方法，其特征在于，所述步驟五中的正電極Al漿生成的正電極與襯底直接形成局部接觸；負電極Ag漿生成的負電極與鋪敷在襯底背面上的材料形成接觸。

10.根據權利要求3所述的一種高效的背接觸P型太陽能電池結構的制備方法，其特征在于，所述步驟六中的光注入條件為：光注入的輻射強度為5-20sums，光注入時間為50-250s。