[發明專利]寬波段的可飽和吸收體及多孤子態激光器在審
| 申請號： | 202211516251.6 | 申請日： | 2022-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN116031743A | 公開（公告）日： | 2023-04-28 |
| 發明（設計）人： | 高曉萌;葛顏綺;尹鵬;張繼君 | 申請（專利權）人： | 深圳大學 |
| 主分類號： | H01S3/1118 | 分類號： | H01S3/1118;H01S3/067 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 劉燚 |
| 地址： | 518000 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 波段 飽和 吸收體 孤子 激光器 | ||
1.二維硫化鍺在以下a1)～a8)中任一種的應用：
a1)可飽和吸收體材料；
a2)包括a1)所述可飽和吸收體材料的可飽和吸收體器件；
a3)包括a1)所述可飽和吸收體材料的激光器；
a4)包括a2)所述可飽和吸收體器件的激光器；
a5)包括a1)所述可飽和吸收體材料的設備；
a6)包括a2)所述可飽和吸收體器件的設備；
a7)包括a3)所述激光器的設備；
a8)包括a4)所述激光器的設備。
2.可飽和吸收體材料，其特征在于，包括二維硫化鍺。
3.可飽和吸收體器件，其特征在于，包括光學元件和負載在所述光學元件上的權利要求2所述的可飽和吸收材料。
4.根據權利要求3所述的可飽和吸收體器件，其特征在于，所述光學元件包括光纖。
5.根據權利要求4所述的可飽和吸收體器件，其特征在于，所述光纖設有錐區，所述可飽和吸收體材料沉積于所述錐區。
6.激光器，其特征在于，包括權利要求2所述的可飽和吸收體材料，或包括權利要求3至5任一項所述的可飽和吸收體器件。
7.根據權利要求6所述的激光器，其特征在于，所述激光器包括沿光傳播方向依次設置的泵浦源和激光諧振腔，所述可飽和吸收體器件設置于所述激光諧振腔內。
8.根據權利要求7所述的激光器，其特征在于，所述泵浦源提供近紅外波段的泵浦光，所述激光諧振腔包括沿光傳播方向依次連接的波分復用器、增益光纖、偏振無關隔離器、所述可飽和吸收體、光纖耦合器和偏振控制器。
9.根據權利要求7所述的激光器，其特征在于，所述泵浦源提供中紅外波段的泵浦光，所述激光諧振腔包括沿光傳播方向依次連接的波分復用器、增益光纖、偏振控制器、所述可飽和吸收體、光纖耦合器和偏振無關隔離器。
10.設備，其特征在于，包括權利要求2所述的可飽和吸收體材料，或包括權利要求3至5任一項所述的可飽和吸收體器件，或包括權利要求6至9任一項所述的激光器。
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