[發明專利]一種碲鎘汞芯片的閉管熱處理方法

在審

• 申請號: 202211437842.4
• 申請日: 2022-11-16
• 公開（公告）號: CN115732595A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發明（設計）人: 王鑫;劉世光;趙東生
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/08;H01L21/67
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 焉明濤

1.一種碲鎘汞芯片的閉管熱處理方法，其特征在于，包括：

將至少一片碲鎘汞芯片固定于工裝載體上，其中，所述工裝載體的尺寸大于所述碲鎘汞芯片且與退火管的內徑匹配；

將所述工裝載體放入所述退火管內，以使得所述碲鎘汞芯片與所述退火管的內壁不發生接觸。

2.根據權利要求1所述的碲鎘汞芯片的閉管熱處理方法，其特征在于，所述退火管為石英管。

3.根據權利要求1所述的碲鎘汞芯片的閉管熱處理方法，其特征在于，所述工裝載體采用導熱材料制備。

4.根據權利要求1所述的碲鎘汞芯片的閉管熱處理方法，其特征在于，所述工裝載體為長方形片狀結構，且存在至少兩條長度與所述退火管內徑相同的邊。

5.根據權利要求4所述的碲鎘汞芯片的閉管熱處理方法，其特征在于，所述將所述工裝載體放入所述退火管內的步驟中，包括：

將所述工裝載體所在平面的兩條邊分別與所述退火管的內壁相接觸，并將所述工裝載體推入所述退火管。