[發明專利]一種Ag2

在審

• 申請號: 202211398538.3
• 申請日: 2022-11-09
• 公開（公告）號: CN115852471A
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 林思琪;金敏;李榮斌;郭林林
• 申請（專利權）人: 上海電機學院
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B28/02;C30B29/46;H10N10/852
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 蔣亮珠

1.一種Ag₂Se基熱電晶體材料的制備方法，其特征在于，該制備方法包括以下步驟：

(1)真空封裝：以銀和硒單質為原料，按化學式Ag₂Se_1+x的化學計量比進行配料，混合均勻裝入反應器(1)中，抽真空后進行封裝；

(2)多晶預熔：將裝有原料的反應器(1)放入高溫搖擺爐中，從室溫開始加熱并保溫，達到最高溫度時開啟搖擺，預熔結束后取出反應器(1)自然冷卻，得到預熔多晶鑄錠；

(3)晶體生長：將裝有預熔多晶鑄錠的反應器(1)置于布里奇曼爐中，從室溫開始加熱并保溫，開始執行晶體生長過程，生長結束后爐冷，得到Ag₂Se基熱電晶體材料。

2.根據權利要求1所述的一種Ag₂Se基熱電晶體材料的制備方法，其特征在于，步驟(1)中x的取值范圍為0≤x≤0.02。

3.根據權利要求1所述的一種Ag₂Se基熱電晶體材料的制備方法，其特征在于，步驟(1)中抽真空的真空度為10^-3-10^-1Pa，時間為20-40min。

4.根據權利要求1所述的一種Ag₂Se基熱電晶體材料的制備方法，其特征在于，步驟(2)和(3)中加熱的溫度為1173-1373K，溫度速率為100-200K/h。

5.根據權利要求1所述的一種Ag₂Se基熱電晶體材料的制備方法，其特征在于，步驟(2)和(3)中保溫的時間為5-12h。

6.根據權利要求1所述的一種Ag₂Se基熱電晶體材料的制備方法，其特征在于，步驟(2)中搖擺的速率為10-30rpm。

7.根據權利要求1所述的一種Ag₂Se基熱電晶體材料的制備方法，其特征在于，步驟(3)中布里奇曼爐包括加熱爐體以及加熱爐體內部的加熱體(2)、絕緣層(3)、升降機構(4)、支撐架(8)和熱電偶(9)，其中絕緣層(3)設于加熱體(2)的頂部和底部，升降機構(4)連接支撐架(8)，支撐架(8)支撐下端尖銳的反應器(1)，熱電偶(9)設于支撐架(8)的上部。

8.根據權利要求7所述的一種Ag₂Se基熱電晶體材料的制備方法，其特征在于，所述升降機構(4)的下降速度為0.5-2.0mm/h。

9.根據權利要求7所述的一種Ag₂Se基熱電晶體材料的制備方法，其特征在于，所述布里奇曼爐的溫度梯度為20-40K/cm。

10.一種Ag₂Se基熱電晶體材料，其特征在于，該熱電晶體材料由如權利要求1-9任一項所述的制備方法制備得到。