[發(fā)明專利]發(fā)光顯示裝置

在審

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• 申請日: 2022-11-04
• 公開（公告）號: CN116249397A
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭多云;崔大元;裵水斌;丁有光
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H10K59/123
• 分類號: H10K59/123;H10K59/124;H10K59/131;H01L27/15
• 代理公司: 北京金宏來專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11641
• 代理人: 李子光

1.一種發(fā)光顯示裝置，包括：

襯底；

晶體管，與所述襯底重疊；

第一絕緣層，與所述晶體管重疊；

第二絕緣層，與所述第一絕緣層重疊；

像素電極，直接接觸所述第二絕緣層并且電連接到所述晶體管；

導電構(gòu)件，直接接觸所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中的至少一個；

第三絕緣層，與所述第二絕緣層重疊、包括孔并且包括開口，其中，所述孔暴露所述像素電極，并且其中，所述開口暴露所述導電構(gòu)件；以及

發(fā)光材料層，在所述孔內(nèi)與所述像素電極重疊、與所述第三絕緣層重疊并且在所述開口內(nèi)具有間斷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述開口具有底切結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述開口的第一段在所述開口的深度方向上位于所述開口的第二段與所述開口的第三段之間，并且比所述開口的所述第二段和所述開口的所述第三段中的每個窄。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述發(fā)光材料層包括電荷生成層，并且其中，所述電荷生成層部分地位于所述開口內(nèi)并且暴露所述開口內(nèi)的所述導電構(gòu)件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述電荷生成層包括布置在所述開口內(nèi)并且與所述導電構(gòu)件重疊的斷開部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，進一步包括：與所述發(fā)光材料層和所述第三絕緣層中的每個重疊的公共電極材料層，其中，所述公共電極材料層在所述開口內(nèi)具有間隙。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述公共電極材料層包括布置在所述開口內(nèi)并且與所述導電構(gòu)件重疊的斷開部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述導電構(gòu)件包括透明導電氧化物層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述導電構(gòu)件包括順序地堆疊的第一透明導電氧化物層、金屬層和第二透明導電氧化物層，并且其中，所述第一透明導電氧化物層和所述第二透明導電氧化物層中的至少一個直接接觸所述第二絕緣層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述導電構(gòu)件以與所述像素電極相同的工藝由與所述像素電極的材料相同的材料制成。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，進一步包括連接器，所述連接器布置在所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間，電連接到所述像素電極，并且電連接到所述晶體管的半導體層、所述晶體管的漏電極以及所述晶體管的源電極中的至少一個，其中，所述導電構(gòu)件以與所述連接器相同的工藝由與所述連接器的材料相同的材料制成。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述開口延伸穿過所述第三絕緣層和所述第二絕緣層。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中，所述發(fā)光材料層包括空穴傳輸層、電子傳輸層以及布置在所述空穴傳輸層與所述電子傳輸層之間并且與所述像素電極重疊的發(fā)射層。

14.一種發(fā)光顯示裝置，包括：

襯底；

晶體管，與所述襯底重疊；

第一絕緣層，與所述晶體管重疊；

第二絕緣層，與所述第一絕緣層重疊；

像素電極，直接接觸所述第二絕緣層并且電連接到所述晶體管；

導電構(gòu)件，直接接觸所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中的至少一個；

第三絕緣層，與所述第二絕緣層重疊、包括孔并且包括開口，其中，所述孔暴露所述像素電極，并且其中，所述開口暴露所述導電構(gòu)件；以及

發(fā)光材料層，所述發(fā)光材料層在所述孔內(nèi)與所述像素電極重疊，與所述第三絕緣層重疊，并且包括布置在所述開口內(nèi)并且彼此間隔開間隙的兩個斷開部分。