[發明專利]光學臨近修正模型的建模方法及光學臨近修正方法

在審

• 申請號: 202211320040.5
• 申請日: 2022-10-26
• 公開（公告）號: CN115598922A
• 公開（公告）日: 2023-01-13
• 發明（設計）人: 王雷
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G03F1/44
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭星

本發明提供了一種光學臨近修正模型的建模方法及基于該光學臨近修正模型的光學臨近修正方法，應用于半導體技術領域。具體的，在本發明中其通過在光學臨近修正模型(OPC修正模型)的建模過程中加入與測試圖形的圖形密度相關的變量的方式，使建立的OPC模型中包含圖形關鍵尺寸與圖形密度相關變量之間的映射關系，以提出一種新型的OPC修正模型。之后，再利用該OPC修正模型確定出測試圖形在不同圖形密度環境中的關鍵尺寸畸變情況，然后根據該畸變情況與測試圖形的設計關鍵尺寸做對比，便可確定出OPC修正過程對測試圖形的修正量，從而OPC修正過程中的準確度，進而提高了版圖的工藝窗口和有效提升了產品良率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種光學臨近修正模型的建模方法及光學臨近修正方法。

背景技術

光學鄰近校正(optical proximity correction簡稱OPC)技術已經廣泛的應用于深亞微米集成電路的大規模生產中，在90nm技術節點以下的關鍵層次出版中，普遍采用基于模型的OPC處理方法。用基于模型的OPC處理方法基本原理是：通過模型模擬曝光后或者刻蝕后圖形形狀以及尺寸，根據模擬數據與目標數據的偏差作相應的修正，并經過若干次迭代過程后得到最終的掩模板圖形。

在目前現有的OPC模型的建立過程中，其修正模型和菜單中均不反應圖形密度對圖形準確度的實際影響，因此，在現有的OPC模型的建模時收集數據對圖形密度無要求。而在光刻工藝接近分辨率極限時，圖形密度尤其是局部圖形密度的影響不可忽略。顯然，不考慮圖形密度的現有的OPC模型勢必存在修正后的圖形的關鍵尺寸、工藝窗口均達不到設計要求的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種考慮圖形密度的光學臨近修正模型的建模方法以及基于該模型的光學臨近修正方法，以實現修正后的圖形的關鍵尺寸和工藝窗口均達到設計要求的目的，并增加產品的穩定性。

第一方面，為解決上述技術問題，本發明提供一種光學臨近修正模型的建模方法，所述建模方法可以包括：

設置N組具有不同圖形密度的OPC測試圖形，其中N大于等于2；

利用所述OPC測試圖形，建立包含測試圖形的關鍵尺寸隨圖形密度變化而變化的光學臨近修正模型。

進一步的，所述具有不同圖形密度的每組OPC測試圖形中至少包含一主圖形P_i和設置在該主圖形P_i周邊且與其具有不同設計距離的至少一輔助圖形A_i。

進一步的，利用所述OPC測試圖形，建立包含測試圖形的關鍵尺寸隨圖形密度變化而變化的光學臨近修正模型的步驟，可以包括：

分別收集所述具有不同圖形密度的每組OPC測試圖形的硅片數據，所述硅片數據包括所述主圖形P_i制作在硅片上的實際關鍵尺寸，并根據所述硅片數據建立所述主圖形P_i在硅片上的實際關鍵尺寸隨所述OPC測試圖形的圖形密度變化而變化的映射關系，即建立了所述光學臨近修正模型。

進一步的，所述圖形密度可以包括局部圖形密度，或者可以包括全局圖形密度。

進一步的，所述局部圖形密度可以為在一預設區域中所包含的多個所述輔助圖形A_i的面積之和占所述預設區域的面積的百分比。

進一步的，所述預設區域的尺寸可以為X*Y，所述X的取值范圍可以為30nm-1000nm，所述Y的取值范圍可以為30nm-1000nm。

進一步的，所述主圖形P_i在硅片上的實際關鍵尺寸隨所述OPC測試圖形的圖形密度變化而變化的映射關系，可以包括：