[發明專利]光學臨近修正模型的建模方法及光學臨近修正方法

在審

• 申請號: 202211320040.5
• 申請日: 2022-10-26
• 公開（公告）號: CN115598922A
• 公開（公告）日: 2023-01-13
• 發明（設計）人: 王雷
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G03F1/44
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭星

1.一種光學臨近修正模型的建模方法，其特征在于，所述建模方法包括：

設置N組具有不同圖形密度的OPC測試圖形，其中N大于等于2；

利用所述OPC測試圖形，建立包含測試圖形的關鍵尺寸隨圖形密度變化而變化的光學臨近修正模型。

2.如權利要求1所述的光學臨近修正模型的建模方法，其特征在于，所述具有不同圖形密度的每組OPC測試圖形中至少包含一主圖形P_i和設置在該主圖形P_i周邊且與其具有不同設計距離的至少一輔助圖形A_i。

3.如權利要求2所述的光學臨近修正模型的建模方法，其特征在于，利用所述OPC測試圖形，建立包含測試圖形的關鍵尺寸隨圖形密度變化而變化的光學臨近修正模型的步驟，包括：

分別收集所述具有不同圖形密度的每組OPC測試圖形的硅片數據，所述硅片數據包括所述主圖形P_i制作在硅片上的實際關鍵尺寸，并根據所述硅片數據建立所述主圖形P_i在硅片上的實際關鍵尺寸隨所述OPC測試圖形的圖形密度變化而變化的映射關系，即建立了所述光學臨近修正模型。

4.如權利要求3所述的光學臨近修正模型的建模方法，其特征在于，所述圖形密度包括局部圖形密度或全局圖形密度。

5.如權利要求4所述的光學臨近修正模型的建模方法，其特征在于，所述局部圖形密度為在一預設區域中所包含的多個所述輔助圖形A_i的面積之和占所述預設區域的面積的百分比。

6.如權利要求5所述的光學臨近修正模型的建模方法，其特征在于，所述預設區域的尺寸為X*Y，所述X的取值范圍為30nm-1000nm，所述Y的取值范圍為30nm-1000nm。

7.如權利要求3所述的光學臨近修正模型的建模方法，其特征在于，所述主圖形P_i在硅片上的實際關鍵尺寸隨所述OPC測試圖形的圖形密度變化而變化的映射關系，包括：

所述主圖形P_i在硅片上的實際關鍵尺寸隨所述輔助圖形A_i的設計面積以及主圖形P_i與輔助圖形A_i之間的設計距離變化而變化的函數關系；和/或，所述主圖形P_i在硅片上的實際關鍵尺寸隨在一預設區域內所述輔助圖形A_i的設計面積與所述預設區域的面積之比的比值的變化而變化的函數關系。

8.如權利要求7所述的光學臨近修正模型的建模方法，其特征在于，所述輔助圖形A_i的設計面積在開根號后大于所述主圖形P_i的關鍵尺寸的10倍。

9.如權利要求7所述的光學臨近修正模型的建模方法，其特征在于，所述主圖形P_i與所述輔助圖形A_i之間的距離不大于所述主圖形P_i的關鍵尺寸的100倍。

10.一種光學臨近修正模型的建模系統，其特征在于，所述建模系統用于實現所述權利要求1～9中任一項所述的光學臨近修正模型的建模方法，所述建模系統包括：

OPC測試圖形設置模塊，用于設置N組具有不同圖形密度的OPC測試圖形，其中N大于等于2，且所述具有不同圖形密度的每組OPC測試圖形中至少包含一主圖形P_i和設置在該主圖形P_i周邊且與其具有不同設計距離的至少一輔助圖形A_i；

模型建立模塊，用于分別收集所述具有不同圖形密度的每組OPC測試圖形的硅片數據，所述硅片數據包括所述主圖形P_i制作在硅片上的實際關鍵尺寸，并根據所述硅片數據建立所述主圖形P_i在硅片上的實際關鍵尺寸隨所述OPC測試圖形的圖形密度變化而變化的映射關系，即建立了所述光學臨近修正模型。