[發明專利]芯片修調檢測電路及其芯片、電子設備

有效

• 申請號: 202211309910.9
• 申請日: 2022-10-25
• 公開（公告）號: CN115373462B
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發明（設計）人: 高興波;唐永生;林道明
• 申請（專利權）人: 深圳利普芯微電子有限公司
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 深圳市力道知識產權代理事務所(普通合伙) 44507
• 代理人: 張傳義

本申請涉及一種芯片修調檢測電路及其芯片、電子設備，該電路包括至少一個基準單元，基準單元包括第一MOS管、第二MOS管，以及基準電阻，第一MOS管、第二MOS管、基準電阻依次連接形成偏置電路；N個修調檢測單元，每個修調檢測單元包括第三MOS管、第四MOS管，以及修調熔絲，第三MOS管、第四MOS管、修調熔絲依次連接與偏置電路形成鏡像電路，第三MOS管和第四MOS管之間作為檢測節點輸出檢測信號；第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管中的一個或多個分別通過開關連接一個或多個第五MOS管；當芯片進行修調檢測時，開關置為狀態一，當芯片處于工作模式時，開關處于狀態二，本申請不僅可以提高芯片修調檢測的可靠性，同時還能減小芯片面積。

技術領域

本申請涉及集成電路領域，具體涉及一種芯片修調檢測電路及其芯片、電子設備。

背景技術

芯片的生產制造過程中需要對芯片的電氣參數進行修調，修調熔絲是芯片用于修改集成電路的標識、功能和電氣特性修調。修調熔絲熔斷后輸出信號0，未被熔斷的修調熔絲輸出信號1。修調檢測的原理是將修調熔絲的電阻Rfuse和一個基準電阻Rref做比較，若RfuseRref，判定修調熔絲未熔斷，若Rfuse＞Rref，判定修調熔絲已熔斷。修調檢測時就算基于該原理進行判斷，但芯片在實際工作中受電源電壓和溫度的影響，修調后的電阻Rfuse的阻值在不同電源電壓和溫度下，也會表現出電阻值上的波動，甚至會出現RfuseRref的情況，從而導致芯片修調后的參數被改變，影響芯片的電氣特性。同時，傳統的修調檢測方式，每一個修調熔絲的檢測都需要一個比較電路，將檢測電壓與基準電壓之間進行比較，其原理可參考公開號為CN107992157A，專利名稱：一種電熔絲狀態讀取電路。一個芯片中修調熔絲一般有數十個，這就增大了芯片的面積。

發明內容

本申請的目的在于克服現有技術的不足，提供一種芯片修調檢測電路及其芯片、電子設備，可以提高芯片修調檢測的可靠性，同時還能減小芯片面積。

本申請的目的是通過以下技術方案來實現的：

本申請第一方面提供一種芯片修調檢測電路，包括：

至少一個基準單元，所述基準單元包括第一MOS管、第二MOS管，以及基準電阻，所述第一MOS管、第二MOS管、基準電阻依次連接形成偏置電路；

N個修調檢測單元，每個修調檢測單元包括第三MOS管、第四MOS管，以及修調熔絲，所述第三MOS管、第四MOS管、修調熔絲依次連接與所述偏置電路形成鏡像電路，所述第三MOS管和第四MOS管之間作為檢測節點輸出檢測信號；

所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管中的一個或多個分別通過開關連接一個或多個第五MOS管；

當芯片進行修調檢測時，所述開關置為狀態一，當芯片處于工作模式時，所述開關處于狀態二。

本申請中，將修調檢測電路設置了兩種狀態，一種用于出廠前或芯片投入使用前的測試階段，一種是出廠后的工作階段，并通過開關進行兩種狀態的切換，也就是開關的狀態一和開關的狀態二，其分別對應修調檢測和工作模式。在兩種狀態下，基準單元與修調檢測單元所形成的電流鏡鏡像比例不同，使得修調檢測單元的電流不同，當修調熔絲熔斷后，檢測節點處的電壓也不同。基于修調原理，修調熔絲熔斷后輸出信號0，修調熔絲未熔斷輸出信號1，而信號0和1之間的臨界值所對應的電壓即翻轉電壓，修調就是將修調熔絲熔斷后使其電阻值超過臨界值所對應的電阻，從而使得檢測節點的電壓達到檢測信號翻轉的電壓。為了避免工作模式下溫度都參數的影響，避免輸出信號產生跳變，必須滿足熔斷后檢測節點的電壓遠離臨界值，這樣即使芯片工作環境變化，也不會造成檢測結果二次翻轉從而影響芯片的電氣性能。在本申請中，兩種狀態下同一檢測節點使輸出結果翻轉的臨界值（閾值）不同，測試階段的臨界值大于工作階段，修調檢測時，使得修調熔絲需要更高的高阻態，從而提高修調檢測的可靠性，使其在工作模式下，即使溫度等影響，也不會造成修調檢測結果發生二次翻轉，保證了芯片的電氣性能。