[發明專利]一種母排裝置及多芯片功率器件的均流系統

在審

• 申請號: 202211308919.8
• 申請日: 2022-10-25
• 公開（公告）號: CN115547976A
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發明（設計）人: 萬佳;傅實;李學寶;趙志斌;崔翔
• 申請（專利權）人: 華北電力大學
• 主分類號: H01L23/50
• 分類號: H01L23/50;H01L25/07
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 賈瑞華

1.一種母排裝置，用于為多芯片功率器件提供電流，其特征在于，所述母排裝置包括：集電極母排和發射極母排；所述多芯片功率器件位于所述集電極母排與所述發射極母排之間；

所述集電極母排的一端為電流輸入部，另一端為第一定位部；

所述發射極母排的一端為電流輸出部，另一端為第二定位部；

所述電流輸入部及所述電流輸出部均與母線連接；所述多芯片功率器件位于所述第一定位部與所述第二定位部之間，并與所述第一定位部及所述第二定位部固定連接；

所述第一定位部靠近所述電流輸入部的位置開設有挖槽；所述第二定位部靠近所述電流輸出部的位置開設有挖槽。

2.根據權利要求1所述的母排裝置，其特征在于，所述第一定位部及所述第二定位部的形狀均為圓形，且所述第一定位部與所述第二定位部的大小相等。

3.根據權利要求2所述的母排裝置，其特征在于，所述第一定位部及所述第二定位部上開設的挖槽的形狀均為弧形。

4.根據權利要求3所述的母排裝置，其特征在于，所述第一定位部上開設的挖槽與所述第一定位部的圓心形成的角度為240°；

所述第二定位部上開設的挖槽與所述第二定位部的圓心形成的角度為240°。

5.根據權利要求2所述的母排裝置，其特征在于，所述第一定位部的圓心處開設有第一定位孔；所述第二定位部的圓心處開設有第二定位孔；

所述第一定位部和所述第二定位部分別通過所述第一定位孔及所述第二定位孔與所述多芯片功率器件固定連接。

6.根據權利要求1所述的母排裝置，其特征在于，所述集電極母排及所述發射極母排的材料均為銅。

7.一種多芯片功率器件的均流系統，其特征在于，所述多芯片功率器件的均流系統包括：多芯片功率器件及權利要求1-6任一項所述的母排裝置；所述母排裝置分別與母線及所述多芯片功率器件固定連接，所述母排裝置用于為所述多芯片功率器件提供電流。

8.根據權利要求7所述的多芯片功率器件的均流系統，其特征在于，所述多芯片功率器件為多芯片絕緣柵雙極型晶體管IGBT器件。

9.根據權利要求7所述的多芯片功率器件的均流系統，其特征在于，所述多芯片功率器件包括：集電極極板、芯片單元、子單元框架及發射極極板；

所述集電極極板與所述母排裝置的第一定位部固定連接；所述發射極極板與所述母排裝置的第二定位部固定連接；

所述芯片單元位于所述子單元框架內；

所述芯片單元包括多個芯片；多個芯片并聯連接，并分別與所述集電極極板及所述發射極極板連接。

10.根據權利要求9所述的多芯片功率器件的均流系統，其特征在于，所述芯片單元還包括碟簧；所述碟簧位于各芯片與所述發射極極板之間。