[發明專利]改善HVPE法生長氮化鎵時均勻性的載臺及反應腔在審
| 申請號： | 202211266923.2 | 申請日： | 2022-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN115652419A | 公開（公告）日： | 2023-01-31 |
| 發明（設計）人： | 王定;羅曉菊 | 申請（專利權）人： | 鎵特半導體科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/08 | 分類號： | C30B25/08;C30B25/12;C30B29/40;C23C16/458 |
| 代理公司： | 銅陵市嘉同知識產權代理事務所(普通合伙) 34186 | 代理人： | 吳晨亮 |
| 地址： | 201306 上海市浦東新區自由貿*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 hvpe 生長 氮化 均勻 反應 | ||
【權利要求書】：
1.改善HVPE法生長氮化鎵時均勻性的載臺，其特征是：包括：基座（1），所述基座的頂部邊緣圍成圍壩（2），所述圍壩具有一個最高端（21）和一個最低端（22），所述最高端和最低端之間通過過渡邊（23）連成一體。
2.如權利要求1所述的改善HVPE法生長氮化鎵時均勻性的載臺，其特征是：所述過渡邊是高度逐漸降低的多段線。
3.如權利要求2所述的改善HVPE法生長氮化鎵時均勻性的載臺，其特征是：所述多段線包括一個直線段（231）和一個弧線段（232）。
4.如權利要求1所述的改善HVPE法生長氮化鎵時均勻性的載臺，其特征是：所述最高端是由基座向上延伸的平面。
5.如權利要求1所述的改善HVPE法生長氮化鎵時均勻性的載臺，其特征是：所述最低端是由基座向上延伸的弧面。
6.如權利要求1所述的改善HVPE法生長氮化鎵時均勻性的載臺，其特征是：所述基座和圍壩是石墨材質。
7.反應器，其特征是：包括：如權利要求1-6任一所述的改善HVPE法生長氮化鎵時均勻性的載臺和反應腔（3）。
8.如權利要求7所述的反應器，其特征是：所述反應腔是石英材質。
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