[發(fā)明專利]離型膜和使用該離型膜制造半導(dǎo)體封裝件的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211261630.5 | 申請(qǐng)日: | 2022-10-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN116061418A | 公開(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉韓率;金沅槿 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | B29C51/12 | 分類號(hào): | B29C51/12;B29C51/30;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務(wù)所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 離型膜 使用 制造 半導(dǎo)體 封裝 方法 | ||
一種離型膜可以包括導(dǎo)電聚合物基板層和設(shè)置在所述導(dǎo)電聚合物基板層的頂表面和底表面上的離型層。每個(gè)所述離型層可以包括氟基聚合物,并且所述導(dǎo)電聚合物基板層的密度在0.1g/cmsupgt;3/supgt;至0.5g/cmsupgt;3/supgt;的范圍內(nèi)。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本專利申請(qǐng)要求于2021年11月3日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2021-0149730的優(yōu)先權(quán),通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及離型膜和/或使用該離型膜制造半導(dǎo)體封裝件的方法。
背景技術(shù)
執(zhí)行作為半導(dǎo)體器件封裝工藝的一部分的模制工藝,以用模制材料包封基板和安裝在基板上的半導(dǎo)體器件。可以使用模具和模制材料來(lái)密封地包封半導(dǎo)體器件。由環(huán)氧樹脂和添加在其中的各種無(wú)機(jī)和輔助材料組成的環(huán)氧模制化合物(EMC)主要用作模制材料。在成型工藝期間,模制材料被注入到模具中。在封裝工藝中,在使模制材料硬化之后,使用介于模具與模制材料之間的離型膜使成型產(chǎn)品脫離模具。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例提供了抑制可能在使模制材料脫離離型膜時(shí)發(fā)生的靜電問(wèn)題的方式。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例,離型膜可以包括:導(dǎo)電聚合物基板層;以及離型層,所述離型層位于所述導(dǎo)電聚合物基板層的頂表面和底表面上。每個(gè)所述離型層可以包括氟基聚合物,并且所述導(dǎo)電聚合物基板層的密度在0.1g/cm3至0.5g/cm3的范圍內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例,離型膜可以包括:導(dǎo)電聚合物基板層;以及離型層,所述離型層位于所述導(dǎo)電聚合物基板層的頂表面和底表面上。每個(gè)所述離型層可以包括氟基聚合物,所述導(dǎo)電聚合物基板層的厚度可以為40μm至80μm,并且每個(gè)所述離型層的厚度可以為0.5μm至5μm。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例,一種制造半導(dǎo)體封裝件的方法可以包括:設(shè)置離型膜以覆蓋模具的腔;在所述離型膜上設(shè)置模制構(gòu)件;將基板定位成使得安裝在所述基板的第一表面上的半導(dǎo)體器件位于所述腔上方;使所述模具朝向所述基板的所述第一表面移動(dòng),使得所述模制構(gòu)件覆蓋所述基板的所述第一表面的至少一部分;使所述模制構(gòu)件硬化以形成模制結(jié)構(gòu);以及使所述模制結(jié)構(gòu)脫離所述離型膜。所述離型膜可以包括導(dǎo)電聚合物基板層以及位于所述導(dǎo)電聚合物基板層的頂表面和底表面上的離型層。每個(gè)所述離型層可以包括氟基聚合物。
附圖說(shuō)明
圖1是示意性地示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的離型膜的截面圖。
圖2是示出圖1的“aa”部分的放大截面圖。
圖3是示出通過(guò)拉伸圖1的離型膜獲得的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖4是示出圖3的“bb”部分的放大截面圖。
圖5、圖6、圖7、圖9和圖10是示出使用離型膜制造半導(dǎo)體封裝件的工藝的截面圖。
圖8是示出圖7的“cc”部分的放大截面圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例,在附圖中示出了示例實(shí)施例。然而,示例實(shí)施例可以以各種不同的形式實(shí)現(xiàn),并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為僅限于所示出的實(shí)施例。更確切地,所示實(shí)施例作為示例提供,使得本公開將是徹底的且完整的,且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本公開的構(gòu)思。除非另有說(shuō)明,否則在所有附圖和書面描述中,相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件,因此將不再重復(fù)描述。
為了便于描述,可以在本文中使用諸如“頂”、“底”等的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)來(lái)描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解,空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在涵蓋除了在圖中描繪的取向之外的器件在使用或工作中的不同取向。例如,器件可以以其他方式取向(旋轉(zhuǎn)90度或呈其他取向),并且相應(yīng)地解釋本文使用的空間相對(duì)描述語(yǔ)。
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