[發(fā)明專利]離型膜和使用該離型膜制造半導(dǎo)體封裝件的方法

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• 申請日: 2022-10-14
• 公開（公告）號: CN116061418A
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉韓率;金沅槿
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: B29C51/12
• 分類號: B29C51/12;B29C51/30;H01L21/56
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種離型膜，所述離型膜包括：

導(dǎo)電聚合物基板層；以及

離型層，所述離型層位于所述導(dǎo)電聚合物基板層的頂表面和底表面上，

其中，每個所述離型層包括氟基聚合物，并且

所述導(dǎo)電聚合物基板層的密度在0.1g/cm³至0.5g/cm³的范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其中，

所述導(dǎo)電聚合物基板層的厚度為30μm至200μm，并且

每個所述離型層的厚度為0.1μm至20μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的離型膜，其中，

所述導(dǎo)電聚合物基板層的厚度為40μm至80μm，并且

每個所述離型層的厚度為0.5μm至5μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其中，所述離型膜的薄層電阻大于或等于10⁸Ω/sq且小于10¹⁰Ω/sq。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其中，所述導(dǎo)電聚合物基板層具有紡織織物結(jié)構(gòu)或無紡織物結(jié)構(gòu)中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其中，所述導(dǎo)電聚合物基板層與所述離型層之間的重量比為至多99∶1且至少90∶10。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其中，所述導(dǎo)電聚合物基板層包括：

多孔纖維；以及

導(dǎo)電聚合物材料，所述導(dǎo)電聚合物材料涂覆在所述多孔纖維上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離型膜，其中，所述多孔纖維包括聚萘二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、尼龍或聚酯中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離型膜，其中，所述導(dǎo)電聚合物材料包括聚(3,4-乙撐二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸鹽、聚吡咯、聚噻吩或聚苯胺中的至少一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離型膜，其中，每個所述離型層包括含氟聚合物或全氟聚合物中的至少一種。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離型膜，其中，所述導(dǎo)電聚合物基板層包括多孔導(dǎo)電纖維。

12.一種離型膜，所述離型膜包括：

導(dǎo)電聚合物基板層；以及

離型層，所述離型層位于所述導(dǎo)電聚合物基板層的頂表面和底表面上，

其中，每個所述離型層包括氟基聚合物，

所述導(dǎo)電聚合物基板層的厚度為40μm至80μm，并且

每個所述離型層的厚度為0.5μm至5μm。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的離型膜，其中，

所述導(dǎo)電聚合物基板層具有第一伸長率，并且

每個所述離型層具有大于所述第一伸長率的第二伸長率。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的離型膜，其中，所述導(dǎo)電聚合物基板層的密度小于每個所述離型層的密度。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的離型膜，其中，

所述導(dǎo)電聚合物基板層包括多孔纖維和涂覆在所述多孔纖維上的導(dǎo)電聚合物材料，

所述多孔纖維包括聚萘二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、尼龍或聚酯中的至少一種，

所述導(dǎo)電聚合物材料包括聚(3,4-乙撐二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸鹽、聚吡咯、聚噻吩或聚苯胺中的至少一種，并且

每個所述離型層包括乙烯四氟乙烯、聚四氟乙烯或全氟辛酸中的至少一種。