[發明專利]低壓差線性穩壓器及控制方法

在審

• 申請號: 202211247293.4
• 申請日: 2022-10-12
• 公開（公告）號: CN115562418A
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發明（設計）人: 王勇;蔡化;夏天;陳正
• 申請（專利權）人: 成都微光集電科技有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 吳浩

1.一種低壓差線性穩壓器，其特征在于，包括基礎穩壓器電路、開關單元和負載，所述負載的一端與所述基礎穩壓器電路的輸出端連接，所述負載的另一端連接負載地，所述開關單元與所述基礎穩壓器電路連接，所述開關單元用于使所述基礎穩壓器電路的第一輸入端處存儲失調電壓和基準電壓，然后將所述基礎穩壓器電路的第一輸入端和第二輸入端的功能對調，以抵消所述第一輸入端處的失調電壓。

2.根據權利要求1所述的低壓差線性穩壓器，其特征在于，所述基礎穩壓器電路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、采樣電容和開關單元，所述第一PMOS管的源極和所述第二PMOS管的源極均接電源電壓，所述第一PMOS管的柵極與所述第二PMOS管的柵極連接，所述第一PMOS管的漏極與所述第一NMOS管的漏極連接，所述第二PMOS管的漏極與所述第二NMOS管的漏極、所述第四NMOS管的柵極連接，所述第一NMOS管的源極與所述第二NMOS管的源極和所述第三NMOS管的漏極連接，所述第一NMOS管的柵極與所述采樣電容的一端連接，作為所述基礎穩壓器電路的第一端，所述第三NMOS管的柵極與所述第五NMOS管的柵極連接，所述第二NMOS管的柵極與所述第四NMOS管的源極和所述第五NMOS管的漏極連接，作為所述基礎穩壓器電路的第二端，所述第三NMOS管的源極和所述第五NMOS管的源極均接負載地。

3.根據權利要求2所述的低壓差線性穩壓器，其特征在于，所述開關單元包括第一開關、第二開關、第三開關、第四開關、第四開關、第五開關、第六開關、第七開關和第八開關，所述第一開關的一端和所述第八開關的一端均與所述采樣電容的另一端連接，所述第一開關的另一端與基準地連接，所述第八開關的另一端接負載地，所述第二開關的一端與所述第三NMOS管的柵極連接，所述第二開關的另一端接驅動電壓，所述第三開關的一端和所述第四開關的一端均與所述第一NMOS管的柵極連接，所述第三開關的另一端接基準電壓，所述第四開關的另一端與所述第一NMOS管的漏極連接，所述第五開關的一端與所述第一PMOS管的漏極連接，所述第五開關的另一端與所述第一PMOS管的柵極連接，所述第六開關的一端與所述第二PMOS管的漏極連接，所述第六開關的另一端與所述第二PMOS管的柵極連接，所述第七開關的一端與所述第二NMOS管的柵極連接，所述第七開關的另一端接基準電壓。

4.根據權利要求2或3所述的低壓差線性穩壓器，其特征在于，還包括對地電容，所述對地電容的第一端與所述第四NMOS管的柵極連接，所述對地電容的另一端接負載地。

5.一種如權利要求1所述低壓差線性穩壓器的控制方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：所述開關單元使所述基礎穩壓器電路的第一輸入端處存儲失調電壓和基準電壓；

S2：所述開關單元使所述基礎穩壓器電路的第一輸入端和第二輸入端的功能對調，以抵消所述第一輸入端處的失調電壓。

6.根據權利要求5所述的低壓差線性穩壓器的控制方法，其特征在于，所述基礎穩壓器電路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、采樣電容和開關單元，所述第一PMOS管的源極和所述第二PMOS管的源極均接電源電壓，所述第一PMOS管的柵極與所述第二PMOS管的柵極連接，所述第一PMOS管的漏極與所述第一NMOS管的漏極連接，所述第二PMOS管的漏極與所述第二NMOS管的漏極、所述第四NMOS管的柵極連接，所述第一NMOS管的源極與所述第二NMOS管的源極和所述第三NMOS管的漏極連接，所述第一NMOS管的柵極與所述采樣電容的一端連接，作為所述基礎穩壓器電路的第一端，所述第三NMOS管的柵極與所述第五NMOS管的柵極連接，所述第二NMOS管的柵極與所述第四NMOS管的源極和所述第五NMOS管的漏極連接，作為所述基礎穩壓器電路的第二端，所述負載的一端與所述第四NMOS管的源極連接，所述第三NMOS管的源極和所述第五NMOS管的源極均接負載地。