[發(fā)明專利]一種顯示器件制備方法、顯示器件及顯示設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211225938.4
• 申請(qǐng)日: 2022-10-09
• 公開（公告）號(hào): CN115458640A
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱成峰;符民;莫煒靜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山思坦半導(dǎo)體科技有限公司;深圳市思坦科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L27/15;H01L33/58
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 賈耀斌

1.一種顯示器件制備方法，其特征在于，包括：

制備像素陣列初始架構(gòu)；

在所述像素陣列初始架構(gòu)的出光側(cè)制作光阻矩陣，使所述光阻矩陣中的第一鏤空區(qū)覆蓋所述像素陣列初始架構(gòu)的出光區(qū)；

在所述光阻矩陣遠(yuǎn)離所述像素陣列初始架構(gòu)的一側(cè)制作透光膜層，使所述透光膜層的折射率小于所述像素陣列初始架構(gòu)中與所述透光膜層相連結(jié)構(gòu)的折射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件制備方法，其特征在于，所述在所述像素陣列初始架構(gòu)的出光側(cè)制作光阻矩陣，使所述光阻矩陣中的第一鏤空區(qū)覆蓋所述像素陣列初始架構(gòu)的出光區(qū)包括：

剝離所述像素陣列初始架構(gòu)中的襯底，以暴露所述像素陣列初始架構(gòu)中的U-GaN層；

對(duì)所述U-GaN層進(jìn)行刻蝕以獲得U-GaN矩陣，并使所述U-GaN矩陣覆蓋所述出光區(qū)；

在所述U-GaN矩陣的第二鏤空區(qū)制作光阻臺(tái)階；

剝離所述U-GaN矩陣中的U-GaN臺(tái)階。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器件制備方法，其特征在于，所述在所述U-GaN矩陣的第二鏤空區(qū)制作光阻臺(tái)階包括：

在所述U-GaN矩陣上涂布光阻材料，并使所述第二鏤空區(qū)充滿所述光阻材料；

刻蝕所述光阻材料以暴露所述U-GaN臺(tái)階。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件制備方法，其特征在于，所述在所述光阻矩陣遠(yuǎn)離所述像素陣列初始架構(gòu)的一側(cè)制作透光膜層，使所述透光膜層的折射率小于所述像素陣列初始架構(gòu)中與所述透光膜層相連結(jié)構(gòu)的折射率包括：

在所述光阻矩陣遠(yuǎn)離所述像素陣列初始架構(gòu)的一側(cè)至少制作電流擴(kuò)散層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件制備方法，其特征在于，所述顯示器件制備方法還包括：

在所述透光膜層遠(yuǎn)離所述像素陣列初始架構(gòu)的一側(cè)制作調(diào)光層，使所述調(diào)光層至少覆蓋部分所述出光區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示器件制備方法，其特征在于，所述在所述透光膜層遠(yuǎn)離所述像素陣列初始架構(gòu)的一側(cè)制作調(diào)光層，使所述調(diào)光層至少覆蓋部分所述出光區(qū)包括：

將調(diào)光材料打印于所述透光膜層遠(yuǎn)離所述光阻矩陣一側(cè)的預(yù)設(shè)位置，以制成所述調(diào)光層；

所述調(diào)光材料包括量子點(diǎn)漿料和導(dǎo)熱介質(zhì)，所述導(dǎo)熱介質(zhì)混合于所述量子點(diǎn)漿料中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器件制備方法，其特征在于，所述將調(diào)光材料打印于所述透光膜層遠(yuǎn)離所述光阻矩陣一側(cè)的預(yù)設(shè)位置，以制成所述調(diào)光層包括：

將第一調(diào)光材料打印于所述透光膜層遠(yuǎn)離所述光阻矩陣一側(cè)的第一預(yù)設(shè)位置，所述第一調(diào)光材料包括第一量子點(diǎn)漿料和所述導(dǎo)熱介質(zhì)，所述導(dǎo)熱介質(zhì)混合于所述第一量子點(diǎn)漿料中；

和/或，

將第二調(diào)光材料打印于所述透光膜層遠(yuǎn)離所述光阻矩陣一側(cè)的第二預(yù)設(shè)位置，所述第二調(diào)光材料包括第二量子點(diǎn)漿料和所述導(dǎo)熱介質(zhì)，所述導(dǎo)熱介質(zhì)混合于所述第二量子點(diǎn)漿料中。

8.根據(jù)權(quán)利要求5至7任一項(xiàng)所述的顯示器件制備方法，其特征在于，所述顯示器件制備方法還包括：

在所述調(diào)光層遠(yuǎn)離所述像素陣列初始架構(gòu)的一側(cè)制作保護(hù)層。

9.一種顯示器件，其特征在于，包括：

像素陣列，包括出光側(cè)，所述像素陣列還包括出光區(qū)；

光阻矩陣，設(shè)置于所述像素陣列的所述出光側(cè)，所述光阻矩陣包括第一鏤空區(qū)，所述第一鏤空區(qū)覆蓋于所述出光區(qū)；及

透光膜層，設(shè)置于所述光阻矩陣遠(yuǎn)離所述像素陣列的一側(cè)，所述透光膜層的折射率小于所述像素陣列中與所述透光膜層相連結(jié)構(gòu)的折射率。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示器件，其特征在于，所述透光膜層至少包括電流擴(kuò)散層。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示器件，其特征在于，所述顯示器件還包括調(diào)光層，所述調(diào)光層至少覆蓋部分所述出光區(qū)。