[發(fā)明專利]失效單元測(cè)試方法及裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211203608.5
• 申請(qǐng)日: 2022-09-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115565592A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱皖江;黃建欽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/08
• 分類號(hào): G11C29/08;G11C29/56
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 張旭慶

本公開(kāi)是關(guān)于一種失效單元測(cè)試方法、失效單元測(cè)試裝置、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域。該失效單元測(cè)試方法包括：向存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)陣列中寫入測(cè)試數(shù)據(jù)；向存儲(chǔ)器發(fā)送目標(biāo)字線跳變指令，以控制存儲(chǔ)陣列打開(kāi)目標(biāo)字線周邊的字線；向存儲(chǔ)器發(fā)送刷新指令，以控制存儲(chǔ)陣列對(duì)目標(biāo)字線周邊的字線執(zhí)行刷新操作；讀取目標(biāo)字線中的數(shù)據(jù)，并將讀取的數(shù)據(jù)與目標(biāo)字線中寫入的測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，以確定存儲(chǔ)陣列中的失效單元。提供了一種有效檢測(cè)失效單元的測(cè)試方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種失效單元測(cè)試方法、失效單元測(cè)試裝置、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備。

背景技術(shù)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是計(jì)算機(jī)中常用的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，由于具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，密度高，功耗低，價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域和電子行業(yè)中受到了廣泛的應(yīng)用。

在DRAM產(chǎn)品存儲(chǔ)陣列單元之間的漏電測(cè)試(cell to cell測(cè)試)中，可以借助電位壓差來(lái)測(cè)試cell漏電，以檢測(cè)出具有潛在風(fēng)險(xiǎn)的芯片。

然而，隨著時(shí)間拉長(zhǎng)，cell之間的電位壓差會(huì)減小，對(duì)漏電的失效單元的檢測(cè)效果也會(huì)變差。

需要說(shuō)明的是，在上述背景技術(shù)部分公開(kāi)的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的目的在于提供一種失效單元測(cè)試方法、失效單元測(cè)試裝置、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備，提供一種有效檢測(cè)失效單元的測(cè)試方法。

本公開(kāi)的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而習(xí)得。

根據(jù)本公開(kāi)的第一方面，提供一種失效單元測(cè)試方法，所述方法包括：向存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)陣列中寫入測(cè)試數(shù)據(jù)；向所述存儲(chǔ)器發(fā)送目標(biāo)字線跳變指令，以控制所述存儲(chǔ)陣列打開(kāi)所述目標(biāo)字線周邊的字線；向所述存儲(chǔ)器發(fā)送刷新指令，以控制所述存儲(chǔ)陣列對(duì)所述目標(biāo)字線周邊的字線執(zhí)行刷新操作；讀取所述目標(biāo)字線中的數(shù)據(jù)，并將讀取的數(shù)據(jù)與所述目標(biāo)字線中寫入的所述測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，以確定所述存儲(chǔ)陣列中的失效單元。

本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施方式中，所述向所述存儲(chǔ)器發(fā)送目標(biāo)字線跳變指令，以控制所述存儲(chǔ)陣列打開(kāi)所述目標(biāo)字線周邊的字線，包括：將所述目標(biāo)字線跳變指令發(fā)送至所述存儲(chǔ)器的行解碼器，所述行解碼器用于根據(jù)所述目標(biāo)字線跳變指令對(duì)所述目標(biāo)字線周邊的字線進(jìn)行解碼，獲得周邊字線解碼地址；通過(guò)所述行解碼器將所述周邊字線解碼地址發(fā)送至字線驅(qū)動(dòng)器，所述字線驅(qū)動(dòng)器用于根據(jù)所述周邊字線解碼地址打開(kāi)所述存儲(chǔ)陣列中的所述目標(biāo)字線周邊的字線。

本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施方式中，所述將所述目標(biāo)字線跳變指令發(fā)送至所述存儲(chǔ)器的行解碼器，包括：向存儲(chǔ)器控制器寫入所述目標(biāo)字線跳變指令；通過(guò)所述存儲(chǔ)器控制器將所述目標(biāo)字線跳變指令發(fā)送至所述行解碼器。

本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施方式中，所述向所述存儲(chǔ)器發(fā)送刷新指令，以控制所述存儲(chǔ)陣列對(duì)所述目標(biāo)字線周邊的字線執(zhí)行刷新操作，包括：通過(guò)處理器向存儲(chǔ)器控制器發(fā)送所述刷新指令，所述存儲(chǔ)器控制器根據(jù)所述刷新指令控制所述存儲(chǔ)陣列對(duì)打開(kāi)的所述目標(biāo)字線周邊的字線執(zhí)行刷新操作。

本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施方式中，所述將讀取的數(shù)據(jù)與所述目標(biāo)字線中寫入的所述測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，以確定所述存儲(chǔ)陣列中的失效單元，包括：根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與寫入的所述測(cè)試數(shù)據(jù)比較的結(jié)果，確定所述目標(biāo)字線中發(fā)生翻轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)；根據(jù)所述發(fā)生翻轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)所在的存儲(chǔ)單元確定所述目標(biāo)字線中的失效單元。

本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施方式中，所述向存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)陣列中寫入測(cè)試數(shù)據(jù)，包括：向所述目標(biāo)字線中寫入數(shù)據(jù)0，向所述目標(biāo)字線周邊的字線中寫入數(shù)據(jù)1。