[發(fā)明專利]離子注入機(jī)的靶盤撐桿及加工方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211168366.0
• 申請日: 2022-09-24
• 公開（公告）號: CN115497792A
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張律
• 申請（專利權(quán)）人: 芯禾科技（江蘇）有限公司
• 主分類號: H01J37/20
• 分類號: H01J37/20;H01J37/317;B23P15/00
• 代理公司: 靖江市靖泰專利事務(wù)所(普通合伙) 32219
• 代理人: 劉銘

離子注入機(jī)的靶盤撐桿及加工方法，包括第一連接座、第二連接座，所述第一連接座與第二連接座通過連接桿連接，所述連接桿中部設(shè)置有滑槽，所述滑槽上下方向?qū)ΨQ設(shè)置有若干個腰形長槽。本發(fā)明加工方便，結(jié)構(gòu)簡單合理，既減輕了靶盤撐桿重量，又保證了剛度，高速離子束沖擊靶盤不易產(chǎn)生變形，離子注入后硅片不易產(chǎn)生微裂紋，提高了硅片的質(zhì)量，化學(xué)清洗增強(qiáng)了靶盤撐桿抗腐蝕能力，延長了使用壽命，并提升產(chǎn)品美觀。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及離子注入機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種離子注入機(jī)的靶盤撐桿及加工方法。

背景技術(shù)

離子注入機(jī)是集成電路制造工序中的關(guān)鍵設(shè)備，離子注入就是將所要注入的元素進(jìn)行電離，并將正離子分離和加速，形成具有數(shù)萬電子伏特的高能離子流，轟擊硅片表面，離子因動能很大，被打入表層內(nèi)，其電荷被中和，成為置換原子或晶格間的填隙原子，被留于表層中，使材料的化學(xué)成分、結(jié)構(gòu)、性能產(chǎn)生變化。在硅片的制作過程中，需要將硅片放置在靶盤中對硅片進(jìn)行離子注入，目前，高速離子束的沖擊對靶盤造成較大的沖擊，雖然采用了減震底座，降低了對靶盤的損傷，但靶盤撐桿易變形，靶盤內(nèi)硅片易產(chǎn)生微裂紋，降低硅片的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目是解決上述技術(shù)問題，提供一種離子注入機(jī)的靶盤撐桿及加工方法。

為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，達(dá)到上述的技術(shù)要求，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：離子注入機(jī)的靶盤撐桿，包括第一連接座、第二連接座，其特征在于：所述第一連接座與第二連接座通過連接桿連接，所述連接桿中部設(shè)置有滑槽，所述滑槽上下方向?qū)ΨQ設(shè)置有若干個腰形長槽；

腰形長槽深度Lc與連接桿厚度Lb之比為0.6~0.75；

腰形長槽底厚Ld與連接桿厚度Lb之比為0.25~0.4；

連接桿厚度Lb與連接桿長度L之比為1：36~1：44，

連接桿寬度La與連接桿長度L之比為1：11~1：13。

優(yōu)選的，所述滑槽貫穿第一連接座、連接桿、第二連接座。

優(yōu)選的，所述滑槽設(shè)置為燕尾槽或T型槽。

優(yōu)選的，所述第一連接座與第二連接座結(jié)構(gòu)相同。

優(yōu)選的，所述靶盤撐桿采用材料為鋁合金。

離子注入機(jī)的靶盤撐桿的加工方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟一、選料，選用鋁合金板料；

步驟二、編寫加工程序，UG軟件編寫加工成型，上加工中心加工；

步驟三、加工中心銑加工

1）壓板壓緊工件，加工第一連接座、第二連接座確保總長、總寬及連接桿厚度Lb至圖紙尺寸；

2）夾具夾緊工件，加工第一連接座上安裝孔至圖紙尺寸；

3）夾具夾緊工件，加工第二連接座上安裝孔至圖紙尺寸；

4）壓板壓緊工件，加工連接桿長度L和連接桿寬度La；

5）壓板壓緊工件，加工滑槽；

6）壓板壓緊工件，加工工藝孔；

7）壓板及工藝孔鎖緊螺絲壓緊工件，加工腰形長槽；

步驟四、脫脂，將零件放入溫度為10~45℃，濃度為8~20%的堿性脫脂劑中浸泡10~35分鐘，再取出用清水洗凈，吹干；

步驟五、打磨，使用百潔布及金剛石砂打磨機(jī)加工產(chǎn)生的所有紋路；

步驟六、堿洗：將零件浸入溫度為35~60℃的10~25%氫氧化鈉溶液中10~30秒，再取出用清水洗凈；

步驟七、酸洗：將零件浸入含氫氟酸1~4% 、硝酸10~22%的酸洗溶液中30~90秒，酸洗溶液溫度為30~50℃，再取出用清水洗凈；

步驟八、吹干。

優(yōu)選的，所述吹干是：使用帶0.1μm過濾器過濾后的干燥空氣或干燥氮?dú)獯档舢a(chǎn)品上可見水分。