[發(fā)明專利]寬波束雙圓極化超表面天線單元、實現(xiàn)方法及相控陣天線在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211147510.2 | 申請日: | 2022-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN115528424A | 公開(公告)日: | 2022-12-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊琬琛;吳俊宇;李靖豪;車文荃;薛泉 | 申請(專利權(quán))人: | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號: | H01Q1/50 | 分類號: | H01Q1/50;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q15/00;H01Q3/34;H01Q21/00;H01Q21/06 |
| 代理公司: | 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人: | 王東東 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 波束 極化 表面 天線 單元 實現(xiàn) 方法 相控陣 | ||
本發(fā)明公開了一種寬波束雙圓極化超表面天線單元、實現(xiàn)方法及相控陣天線,包括天線饋電結(jié)構(gòu)、天線輻射體結(jié)構(gòu)及天線寬波束結(jié)構(gòu),所述天線饋電結(jié)構(gòu)包括環(huán)形帶狀線、交叉縫隙及金屬化過孔,所述天線輻射體結(jié)構(gòu)包括主超表面及寄生超表面,所述天線寬波束結(jié)構(gòu)包括寄生槽和接地柱。本發(fā)明實現(xiàn)寬增益波束和寬軸比波束的雙圓極化天線。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域,特別涉及一種寬波束雙圓極化超表面天線單元、實現(xiàn)方法及相控陣天線。
背景技術(shù)
隨著無線通信技術(shù)發(fā)展,5G的sub-6G頻段逐漸開始大規(guī)模商用,毫米波頻段由于帶寬更寬,速率更快,受到了廣泛的關(guān)注,成為學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的研究熱點。其中一個重要的應(yīng)用在于衛(wèi)星通信。由于衛(wèi)星距離地面遠,通信延遲大,通信容量非常有限。為了克服這個問題,目前主流的解決方案是采用毫米波雙圓極化寬角掃描相控陣天線。雙圓極化天線能有效減小多徑效應(yīng)和雨衰,抗干擾較強,是衛(wèi)星通信中主要的天線類型;相控陣天線通常采用平板陣列天線形式,剖面低,通過移相器等組件實現(xiàn)電掃描,克服了傳統(tǒng)機械掃描的慣性,更適合衛(wèi)星與地面低延時通信的需求;寬角掃描可以使得相控陣天線的覆蓋范圍更廣,有效減少覆蓋所需的天線數(shù)量。毫米波雙圓極化寬角掃描相控陣天線的主要指標有帶寬、波束寬度、掃描角度、軸比等,通常要求天線單元具有寬的增益波束寬度和軸比波束寬度,以及自身能實現(xiàn)左旋或右旋圓極化,并基于此拓展成寬角掃描且低軸比的相控陣天線。
為了提升相控陣的寬角掃描和軸比性能,近年來出現(xiàn)了很多先進的技術(shù)方案。在目前已有的方案中,文獻X.Luo et al.,A Scalable Ka-Band 1024-Element TransmitDual-Circularly-Polarized Planar Phased Array for SATCOM Application,in IEEEAccess,vol.8,pp.156084-156095,2020.提出了一種窄帶雙圓極化的相控陣,天線單元采用了兩根工字型縫隙,通過等幅同相激勵疊層切角貼片,以實現(xiàn)雙圓極化,避免使用與半波長相關(guān)的3dB電橋,有利于緊湊組陣。同時,在天線周圍加入了一圈隔離柱,有利于減少單元間的耦合。該相控陣規(guī)模為32×32,由1024個天線單元組成,陣間距為5mm(即30GHz頻率所對應(yīng)波長的0.5倍),工作在29.5-30GHz,掃描到±60°增益下降4.5dB,但軸比高于8dB,產(chǎn)生圓極化需要同時激勵兩個端口,意味著在同一個時刻只能實現(xiàn)左旋或右旋圓極化,而不能同時實現(xiàn)雙圓極化。天線單元的軸比波寬較窄,雖然采用了子陣旋轉(zhuǎn)的組陣方式,在大角掃描時軸比卻高于8dB,不能滿足實際的應(yīng)用需求。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點與不足,本發(fā)明的目的在于提供一種寬波束雙圓極化超表面天線單元、方法及相控陣天線。
本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
一種寬波束雙圓極化超表面天線單元,包括:
天線饋電結(jié)構(gòu),包括環(huán)形帶狀線、交叉縫隙及金屬化過孔,所述環(huán)形帶狀線印制在第一介質(zhì)基板上,所述第一介質(zhì)基板的下表面設(shè)置下層金屬地板,所述交叉縫隙印制在第二介質(zhì)基板上,所述第二介質(zhì)基板的上表面印制上層金屬地板,所述金屬化過孔位于上層金屬地板和下層金屬地板之間;
天線輻射體結(jié)構(gòu),包括主超表面及寄生超表面,所述主超表面印制在第三介質(zhì)基板上,所述寄生超表面印制在第四介質(zhì)基板上,主超表面和寄生超表面構(gòu)成疊層超表面;
天線寬波束結(jié)構(gòu),包括寄生槽和接地柱,所述寄生槽印制在第四介質(zhì)基板上,所述寄生超表面設(shè)置在寄生槽內(nèi),所述接地柱位于寄生槽和上層金屬地板之間;
所述第一介質(zhì)基板、第二介質(zhì)基板、第三介質(zhì)基板及第四介質(zhì)基板按照由下至上的順序壓合一起。
進一步,所述環(huán)形帶狀線為左右對稱,所述環(huán)形帶狀線的兩端為阻抗變換段,中間環(huán)形部分為輻射段。
進一步,所述交叉縫隙由四根縫隙交叉構(gòu)成,相鄰縫隙間隔45°,所述交叉縫隙為左右對稱結(jié)構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華南理工大學(xué),未經(jīng)華南理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202211147510.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





