[發(fā)明專(zhuān)利]芯片零件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211083501.1 | 申請(qǐng)日： | 2022-09-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN115915919A | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-04-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 深江圭佑 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H10N97/00 | 分類(lèi)號(hào)： | H10N97/00;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 奚勇 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 芯片 零件 | ||
1.一種芯片零件，包含：襯底，具有第1主面及其相反側(cè)的第2主面；
電容器部，在從所述襯底的所述第1主面的法線(xiàn)方向觀察的俯視下形成在所述第1主面，具有多個(gè)壁部，所述多個(gè)壁部通過(guò)形成在所述第1主面的溝槽而相互分離且具有長(zhǎng)度方向；
襯底主體部，利用所述襯底的一部分而形成在所述電容器部的周?chē)抑辽龠B結(jié)于所述壁部的所述長(zhǎng)度方向的一端部及另一端部中的一個(gè)；
下部電極，沿著所述壁部的上表面及側(cè)面形成；
電容膜，沿著所述壁部的上表面及側(cè)面形成在所述下部電極上；及
上部電極，形成在所述電容膜上；
所述壁部由多個(gè)柱單元形成，各所述柱單元在所述俯視下包含中央部、及從所述中央部朝互不相同的3個(gè)方向延伸的3個(gè)凸部，所述壁部通過(guò)相鄰的所述柱單元的所述凸部彼此的連結(jié)而形成，
所述電容器部在所述俯視下包括包含所述長(zhǎng)度方向?yàn)榈?長(zhǎng)度方向的所述壁部的第1電容器部、及包含所述長(zhǎng)度方向?yàn)榕c所述第1長(zhǎng)度方向交叉的第2長(zhǎng)度方向的所述壁部的第2電容器部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片零件，其包含：第1外部電極，形成在所述襯底的所述第1主面上，且電連接于所述下部電極；及
第2外部電極，在所述襯底的所述第1主面上離開(kāi)所述第1外部電極而形成，且電連接于所述上部電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片零件，其中所述電容器部包含在所述俯視下與所述第1外部電極重疊的第1重疊部、與所述第2外部電極重疊的第2重疊部、以及所述第1外部電極與所述第2外部電極之間的中間部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片零件，其中所述電容器部包含一個(gè)所述第1電容器部及一個(gè)所述第2電容器部，所述第1電容器部與所述第2電容器部彼此相鄰地形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片零件，其中所述第1電容器部是橫跨所述第1重疊部與所述中間部而形成，且
所述第2電容器部是橫跨所述第2重疊部與所述中間部而形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的芯片零件，其中所述電容器部包含一對(duì)所述第1電容器部及一對(duì)所述第2電容器部，且
所述一對(duì)第1電容器部及所述一對(duì)第2電容器部在所述俯視下交錯(cuò)地配置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的芯片零件，其中所述第1長(zhǎng)度方向及所述第2長(zhǎng)度方向是相互正交的方向。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一項(xiàng)所述的芯片零件，其中所述下部電極包含形成在所述電容器部的外側(cè)且包圍所述電容器部的第1接觸區(qū)域，
所述上部電極包含在所述俯視下與所述電容器部重疊的第2接觸區(qū)域，
所述芯片零件還包含：第1電極膜，形成在所述襯底的所述第1主面上，將所述第1接觸區(qū)域與所述第1外部電極電連接；及
第2電極膜，形成在所述襯底的所述第1主面上，將所述第2接觸區(qū)域與所述第2外部電極電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的芯片零件，其中所述襯底在所述俯視下形成為包圍所述第1主面且具有相互對(duì)向的一對(duì)第1側(cè)面及第2側(cè)面、以及相互對(duì)向的一對(duì)第3側(cè)面及第4側(cè)面的四邊形，在所述第1側(cè)面?zhèn)扰渲糜兴龅?外部電極，且在所述第2側(cè)面?zhèn)扰渲糜兴龅?外部電極，
所述第1電極膜包含：第1部分，在所述俯視下與所述第1外部電極重疊，且沿著所述襯底的所述第1側(cè)面延伸；及一對(duì)第2部分，從所述第1電極膜的所述第1部分的一端部及另一端部分別沿著所述襯底的所述第3側(cè)面及所述第4側(cè)面延伸；
所述第2電極膜包含：第3部分，在所述俯視下與所述第2外部電極重疊；及第4部分，從所述第2電極膜的所述第3部分朝向所述第1外部電極延伸，且配置于夾在所述第1電極膜的所述一對(duì)第2部分之間的區(qū)域中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的芯片零件，其中所述第1電極膜包含第1電容器接觸部，該第1電容器接觸部沿著所述第1電極膜的所述第1部分及所述第1電極膜的所述一對(duì)第2部分連續(xù)地形成，且連接于所述第1接觸區(qū)域。
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