[發明專利]半導體元件石墨烯阻擋薄膜沉積方法

在審

• 申請號: 202211082588.0
• 申請日: 2022-09-06
• 公開（公告）號: CN115775767A
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發明（設計）人: 樸弘琪;田真鎬;尹元俊;金泰成;鮮于塤;金東佑;李建政;樸智慧
• 申請（專利權）人: 圓益IPS股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

1.一種石墨烯阻擋薄膜沉積方法，其特征在于，包括：

向形成處理空間的基板處理系統腔室內，將形成含有鈦薄膜層的基板安置的步驟；

將包含第一反應氣體供應至上述腔室內，引導在含有上述鈦薄膜層上晶核形成的步驟；以及

將包含第二反應氣體供應至上述腔室內，并在含有上述鈦薄膜層上形成石墨烯層的步驟。

2.根據權利要求1所述的石墨烯阻擋薄膜沉積方法，其特征在于，

將基板安置的步驟，還包括：將上述基板安置在上述腔室內之后，再將上述基板清洗的步驟。

3.根據權利要求1所述的石墨烯阻擋薄膜沉積方法，其特征在于，

上述第一反應氣體，包括：從乙炔(C2H2)、乙烯(C2H4)、環丙烷(C3H3)、丙烷(C3H6)、苯(C6H6)構成的組合中至少選擇一種不飽和碳氫化合物。

4.根據權利要求1所述的石墨烯阻擋薄膜沉積方法，其特征在于，

上述第二反應氣體，包括：從甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)、丙烷(C3H8)、丁烷(C4H10)、戊烷(C5H12)及己烷(C6H14)構成的組合中至少選擇一種飽和碳氫化合物。

5.根據權利要求1所述的石墨烯阻擋薄膜沉積方法，其特征在于，

上述基板處理系統，分別將等離子化后被激活的第一反應氣體和第二反應氣體供應至上述腔室從而形成石墨烯層。

6.根據權利要求1所述的石墨烯阻擋薄膜沉積方法，其特征在于，

引導上述晶核形成的步驟以及形成鈦薄膜層的步驟，將上述第一反應氣體和第二反應氣體分別至少反復供應一次。

7.根據權利要求1所述的石墨烯阻擋薄膜沉積方法，其特征在于，

將包括引導上述晶核形成的步驟以及形成鈦薄膜層的步驟的單位循環，反復執行至少一次。

8.根據權利要求1所述的石墨烯阻擋薄膜沉積方法，其特征在于，

上述石墨烯層，其厚度在10-30之間。

9.一種接觸結構體，其特征在于，用所述權利要求1-8項中任意一項所記載的方法形成的石墨烯層作為阻隔層。

10.根據權利要求9所述的接觸結構體，其特征在于，

上述接觸結構體，包括：

包含基板、含有鈦薄膜層的圖案層；

在上述基板上形成的石墨烯層；

在上述石墨烯層上形成的鎢晶核形成層；以及

在上述鎢晶核形成層上形成的鎢塊層。