[發明專利]用于半導體封裝件的安裝基板和半導體封裝件

在審

• 申請號: 202211073382.1
• 申請日: 2022-09-02
• 公開（公告）號: CN115831908A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 金瑾雨;申志源;權洞煜;明宇藍;禹光福
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/367
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種用于半導體封裝件的安裝基板，所述安裝基板包括：

具有上表面和下表面的基板，所述基板包括多個絕緣層和分別位于所述多個絕緣層中的布線；

第一基板焊盤和第二基板焊盤，所述第一基板焊盤和所述第二基板焊盤在所述安裝基板的芯片安裝區域中位于所述上表面上；

吸熱焊盤，所述吸熱焊盤在所述安裝基板的與所述芯片安裝區域相鄰的外圍區域中位于所述上表面上；以及

位于所述基板中的連接線，所述連接線被配置為將所述吸熱焊盤和所述第二基板焊盤彼此導熱地結合。

2.根據權利要求1所述的用于半導體封裝件的安裝基板，其中，所述吸熱焊盤和所述第二基板焊盤位于所述多個絕緣層之中的同一絕緣層中。

3.根據權利要求1所述的用于半導體封裝件的安裝基板，其中，所述吸熱焊盤和所述第二基板焊盤分別位于所述多個絕緣層中的不同的絕緣層中。

4.根據權利要求1所述的用于半導體封裝件的安裝基板，其中，所述第二基板焊盤的第一厚度等于所述吸熱焊盤的第二厚度。

5.根據權利要求1所述的用于半導體封裝件的安裝基板，其中，所述第二基板焊盤的第一厚度小于所述吸熱焊盤的第二厚度。

6.根據權利要求1所述的用于半導體封裝件的安裝基板，其中，所述吸熱焊盤的邊長在0.5mm至3.0mm的范圍內。

7.根據權利要求1所述的用于半導體封裝件的安裝基板，其中，所述連接線位于所述多個絕緣層之中的第一絕緣層中，所述第一絕緣層與所述多個絕緣層之中的其中設置有所述第二基板焊盤的第二絕緣層不同。

8.根據權利要求7所述的用于半導體封裝件的安裝基板，其中，所述連接線包括通路結構，所述通路結構被配置為將所述第二基板焊盤和所述吸熱焊盤彼此導熱地連接。

9.根據權利要求1所述的用于半導體封裝件的安裝基板，其中，所述吸熱焊盤的外表面從所述基板的側部暴露到外部。

10.根據權利要求9所述的用于半導體封裝件的安裝基板，所述安裝基板還包括：

連接焊盤線，所述連接焊盤線沿著所述基板的所述側部延伸，所述連接焊盤線將所述吸熱焊盤彼此連接。

11.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

安裝基板，所述安裝基板包括：具有彼此相對的上表面和下表面的基板，所述基板包括分別位于多個絕緣層中的布線；第一基板焊盤和第二基板焊盤，所述第一基板焊盤和所述第二基板焊盤在所述安裝基板的芯片安裝區域中位于所述上表面上；吸熱焊盤，所述吸熱焊盤在所述安裝基板的與所述芯片安裝區域相鄰的外圍區域中位于所述上表面上；以及連接線，所述連接線被配置為將所述吸熱焊盤和所述第二基板焊盤彼此導熱地結合；

半導體芯片，所述半導體芯片位于所述安裝基板的所述芯片安裝區域中；以及

第一凸塊和第二凸塊，所述第一凸塊和所述第二凸塊位于所述半導體芯片和所述安裝基板之間，所述第一凸塊和所述第二凸塊分別接合到所述第一基板焊盤和所述第二基板焊盤，

其中，所述第二凸塊分別通過所述連接線和所述第二基板焊盤導熱地連接到所述吸熱焊盤。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝件，其中，每個所述第一凸塊位于所述半導體芯片的芯片焊盤上，并且每個所述第二凸塊位于暴露所述芯片焊盤的絕緣層圖案上。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝件，其中，所述絕緣層圖案包括光敏聚酰亞胺。

14.根據權利要求11所述的半導體封裝件，其中，所述吸熱焊盤和所述第二基板焊盤位于所述多個絕緣層之中的同一絕緣層中。