[發明專利]耐高溫谷氨酸棒桿菌菌株、培養基、馴化篩選方法及應用在審
| 申請號: | 202211056826.0 | 申請日: | 2022-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN116286442A | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發明(設計)人: | 程國平;李必金;龍泉偉;高銘澤;高鵬;李巖;趙津津 | 申請(專利權)人: | 通遼梅花生物科技有限公司 |
| 主分類號: | C12N1/20 | 分類號: | C12N1/20;C12N1/36;C12P13/18;C12R1/15 |
| 代理公司: | 內蒙古欣洋瑞專利代理有限公司 15110 | 代理人: | 劉彩霞 |
| 地址: | 028024 內蒙古*** | 國省代碼: | 內蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 耐高溫 谷氨酸 桿菌 菌株 培養基 馴化 篩選 方法 應用 | ||
1.耐高溫谷氨酸棒桿菌菌株,其特征在于,所述菌株為谷氨酸棒桿菌(Corynebactenumglutamicum),命名為MHZ-0115,保藏于中國普通微生物菌種保藏管理中心(CGMCC),地址:中國,北京,保藏編號為:CGMCC?No.25175,保藏時間:2022年6月23日。
2.如權利要求1所述耐高溫谷氨酸棒桿菌菌株,其特征在于,所述菌株在41℃-45℃下,用于發酵生產谷氨酸,產酸量高于43g/L。
3.如權利要求1所述耐高溫谷氨酸棒桿菌菌株,其特征在于,所述菌株在33℃-41℃下,用于發酵生產谷氨酸,產酸量高于45g/L,發酵周期為20h-24h。
4.如權利要求1-3任一所述的耐高溫谷氨酸棒桿菌菌株,用于發酵生產谷氨酸。
5.如權利要求1所述耐高溫谷氨酸棒桿菌菌株的馴化篩選方法,其特征在于,其包括如下步驟:
(一)原始菌株接種于LB平板培養基進行活化,從新鮮活化的平板上挑取菌苔,接種于種子培養基中擴大培養得到種子液;
(二)取步驟(一)得到的種子液進行溫度馴化得到高溫馴化谷氨酸棒桿菌:溫度馴化分為兩個階段,第一階段溫度馴化的溫度區間為:35℃-41℃,初始馴化溫度為35℃,溫度逐步提高,每次提高2℃;第二階段溫度馴化的溫度區間為:42℃-45℃,初始馴化溫度為42℃,溫度逐步提高,每次提高1℃。
6.如權利要求5所述的耐高溫谷氨酸棒桿菌菌株的馴化篩選方法,其特征在于,所述步驟(一)原始菌株活化及擴大培養得到種子液的具體方法包括如下步驟:
(1)在33℃溫度下,將原始菌株接種到LB平板培養基上,進行活化培養,培養時間為24h;
(2)從步驟(1)得到的活化后菌株中,挑選生長占優勢的單菌落,取一環接種到搖瓶種子培養基上,并放在往復式搖床培養,200rpm,33℃培養,培養24h得到種子液。
7.如權利要求5所述的耐高溫谷氨酸棒桿菌菌株的馴化篩選方法,其特征在于,所述步驟(二)中第一階段溫度馴化的具體操作方法為:
(1)將所述步驟(一)培養得到的種子液取一環稀釋后涂布于LB平板培養基上,放到生化培養箱中,35℃培養24h;然后,挑選生長占優勢的單菌落,取一環接種于搖瓶馴化培養基中,放到往復式搖床上,200rpm,35℃培養;
(2)待步驟(1)菌體生長至對數期后,取一環稀釋后涂布于LB平板培養基上,放到生化培養箱中,37℃培養24h;然后,挑選生長占優勢的單菌落,取一環接種于搖瓶馴化培養基中,放到往復式搖床上,200rpm,37℃培養;
(3)待步驟(2)菌體生長至對數期后,取一環稀釋后涂布于LB平板培養基上,放到生化培養箱中,39℃培養24h;然后挑選生長占優勢的單菌落,取一環接種于搖瓶馴化培養基中,放到往復式搖床上200rpm,39℃培養;
(4)待步驟(3)菌體生長至對數期后,取一環稀釋后涂布于LB平板培養基上,放到生化培養箱中,41℃培養72h;然后,挑選生長占優勢的單菌落,取一環接種于搖瓶馴化培養基中,放到往復式搖床上200rpm,41℃培養;種子生長到對數期后,完成第一階段溫度馴化。
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