[發明專利]驅動基板和顯示面板在審
| 申請號: | 202211055405.6 | 申請日: | 2022-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN115407567A | 公開(公告)日: | 2022-11-29 |
| 發明(設計)人: | 連政勤;嚴允晟;李利霞;謝忠憬 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊明 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 驅動 顯示 面板 | ||
本申請涉及一種驅動基板和顯示面板。該驅動基板包括多個驅動單元;各驅動單元包括第一金屬層;第一金屬層包括遮蔽公共電極和存儲電容公共電極;遮蔽公共電極的遮光部向存儲電容公共電極延伸,以使遮蔽公共電極與存儲電容公共電極圍成像素容納區域;遮蔽公共電極的遮光部與存儲電容公共電極之間存在間隙。從而可分別向遮蔽公共電極和存儲電容公共電極傳輸信號,可向遮蔽公共電極和存儲電容公共電極傳輸相同的信號,也可以傳輸不同的信號,以實現獨立控制遮蔽公共電極和存儲電容公共電極上的信號。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,特別是涉及一種驅動基板和顯示面板。
背景技術
在生產制造液晶面板的過程中,為了減少成本會采用4道掩膜工藝制作TFT(ThinFilm Transistor,薄膜晶體管)基板。而在4道掩膜工藝中,TFT基板的第二金屬層下方均存在半導體層,第二金屬層上的數據線與第一金屬層上的公共電極之間會形成MIS(metal-insulator-semiconductor,金屬-絕緣體-半導體)電容(如圖1所示)。在傳統技術中,第一金屬層上包括的遮蔽公共電極和存儲電容公共電極是連為一體的,使得不能對遮蔽公共電極和存儲電容公共電極上的信號進行獨立控制。如圖2和圖3所示,當第二金屬層上的數據線在正負極性切換時,半導體層中的載流子重新分布,使得電荷位置不同,因此第二金屬層上的數據線與第一金屬層上的公共電極之間的有效間距不同,導致第二金屬層的數據線在正負極性切換時,MIS電容不對稱,從而導致液晶面板出現水平線串擾現象。
發明內容
基于此,有必要針對傳統液晶面板中不能對遮蔽公共電極和存儲電容公共電極的信號進行獨立控制的問題,提供一種驅動基板和顯示面板。
為了實現上述目的,一方面,本申請實施例提供了一種驅動基板,包括多個驅動單元;各驅動單元包括第一金屬層;第一金屬層包括遮蔽公共電極和存儲電容公共電極;
遮蔽公共電極的遮光部向存儲電容公共電極延伸,以使遮蔽公共電極與存儲電容公共電極圍成像素容納區域;遮蔽公共電極的遮光部與存儲電容公共電極之間存在間隙。
在其中一個實施例中,存儲電容公共電極傳輸第一電壓信號;第一電壓信號大于驅動基板的數據電壓信號。
在其中一個實施例中,遮蔽公共電極傳輸第二電壓信號;第二電壓信號小于臨界電壓信號;臨界電壓信號為使驅動基板發生漏光的最小值。
在其中一個實施例中,第二電壓信號小于第一電壓信號。
在其中一個實施例中,第一電壓信號大于等于20V;第二電壓信號大于等于6V,且小于14V。
在其中一個實施例中,遮蔽公共電極的遮光部與存儲電容公共電極之間的間隙大于等于5微米,且小于等于15微米。
在其中一個實施例中,驅動基板還包括第一信號源;
第一信號源連接存儲電容公共電極,向存儲電容公共電極傳輸第一電壓信號。
在其中一個實施例中,驅動基板還包括第二信號源;
第二信號源連接遮蔽公共電極,向遮蔽公共電極傳輸第二電壓信號;第二電壓信號小于第一電壓信號。
在其中一個實施例中,驅動單元還包括與第一金屬層異層設置的第二金屬層;
第二金屬層包括數據線、漏極層以及源極層;第一金屬層還包括柵極掃描線;
源極層連接數據線,且源極層對應柵極掃描線設置;漏極層連接源極層,且漏極層對應存儲電容公共電極設置。
另一方面,本申請實施例提供了一種顯示面板,包括控制主板、顯示層以及如上述的驅動基板;
控制主板連接驅動基板;驅動基板驅動顯示層中的液晶分子偏轉。
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