[發明專利]一種回收硅粉的提純方法及裝置在審
| 申請號: | 202211047741.6 | 申請日: | 2022-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN115403047A | 公開(公告)日: | 2022-11-29 |
| 發明(設計)人: | 章金兵;胡動力;周小英 | 申請(專利權)人: | 浙大寧波理工學院 |
| 主分類號: | C01B33/037 | 分類號: | C01B33/037 |
| 代理公司: | 寧波甬致專利代理有限公司 33228 | 代理人: | 李迎春 |
| 地址: | 315000 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 回收 提純 方法 裝置 | ||
1.一種回收硅粉的提純方法,其特征在于:包括以下步驟:
提供鑄錠爐(1)、上層坩堝(2)以及與所述上層坩堝(2)底部相連接的收集裝置(3),所述上層坩堝(2)以及所述收集裝置(3)置于所述鑄錠爐(1)內,所述上層坩堝(2)底部設置有若干過濾孔(21),所述上層坩堝(2)底部、側壁鋪設塊狀硅料(61)從而形成一凹形結構,所述凹型結構上部鋪設回收硅粉(62),所述回收硅粉(62)頂部鋪設塊狀和/或碎片狀硅料(63),所述上層坩堝(2)底部鋪設的所述塊狀硅料(61)為含雜質硅塊料;
打開所述鑄錠爐(1)開始加熱后,所述上層坩堝(2)側壁的所述塊狀硅料(61)以及所述上層坩堝(2)頂部的塊狀和/或碎片狀硅料(63)受熱先熔化為高溫硅液,從而熔化所述回收硅粉(62),所述含雜質硅塊料受到上層熱量熔化,熔化后的高溫硅液從所述過濾孔(21)流至所述收集裝置(3),進行定向凝固長晶,之后進行退火冷卻,得到提純料,完成回收硅粉(62)的提純。
2.根據權利要求1所述回收硅粉的提純方法,其特征在于:所述過濾孔(21)的形狀為長方形或橢圓形或其他非中心對稱結構。
3.根據權利要求2所述回收硅粉的提純方法,其特征在于:所述過濾孔(21)為長方形時,長寬比為2:1;所述過濾孔(21)為橢圓形時,長軸與短軸長度比為2:1。
4.根據權利要求3所述回收硅粉的提純方法,其特征在于:所述過濾孔(21)為長方形時,長為5-15mm,寬為2.5-7.5mm;所述過濾孔(21)為橢圓形時,長軸為5-15mm,短軸為2.5-7.5mm。
5.根據權利要求1所述回收硅粉的提純方法,其特征在于:所述上層坩堝(2)底部設置有一石墨墊板(4),且所述石墨墊板(4)上設置有與所述過濾孔(21)位置相對應且孔徑大小相同的開孔;所述上層坩堝(2)頂部設置有蓋板(5)。
6.根據權利要求1所述回收硅粉的提純方法,其特征在于:所述含雜質硅塊料為多晶硅錠的頭尾料和/或邊皮料;所述含雜質硅塊料的雜質為氮化硅和碳化硅。
7.根據權利要求1所述回收硅粉的提純方法,其特征在于:所述上層坩堝(2)的加熱溫度為1400-1600℃。
8.根據權利要求1所述回收硅粉的提純方法,其特征在于:所述定向凝固長晶的溫度為1410-1430℃,時間為15-30小時。
9.根據權利要求1所述回收硅粉的提純方法,其特征在于:所述退火冷卻的條件為:待定向凝固長晶結束后,將收集裝置(3)內的溫度降至900℃,進行保溫退火2小時,接著隨爐冷卻至25-300℃,得到提純料。
10.一種回收硅粉的制備裝置,其特征在于,所述制備裝置包括上層坩堝(2)以及收集裝置(3),所述上層坩堝(2)底部與所述收集裝置(3)的頂部連接,所述上層坩堝(2)的底部設置有間隔分布的濾孔,使得所述濾孔濾下的濾液能夠直接從所述上層坩堝(2)的底部流入所述收集裝置(3)內,所述濾孔為非中心對稱結構。
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