[發明專利]金屬互連結構及其形成方法在審

申請號：	202211036887.0	申請日：	2022-08-29
公開（公告）號：	CN115394708A	公開（公告）日：	2022-11-25
發明（設計）人：	王妍;宋歡歡	申請（專利權）人：	華虹半導體（無錫）有限公司;上海華虹宏力半導體制造有限公司
主分類號：	H01L21/768	分類號：	H01L21/768
代理公司：	上海浦一知識產權代理有限公司 31211	代理人：	戴廣志
地址：	214028 江***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	金屬互連結構及其形成方法
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【說明書】：

本申請公開了一種金屬互連結構及其形成方法，該結構包括：第一接觸孔，其形成于第一介質層中；第二接觸孔，其形成于第二介質層中，第二接觸孔的頂部與第一接觸孔的底部接觸，第二接觸孔和第一接觸孔的構成材料不同；金屬連線，其形成于第三介質層中，金屬連線的底部與第二接觸孔的頂部接觸，金屬連線和第一接觸孔的構成材料不同，第二介質層和第一介質層、第三介質層的應力不同。本申請通過在半導體制造的后段制程中，調整第一接觸孔和金屬連線(第一接觸孔和金屬連線的構成材料不同)之間的第二介質層的應力，降低了晶圓的翹曲度，從而避免了因為晶圓翹曲度較高所導致的返工，提高了制造效率。

技術領域

本申請涉及半導體集成電路制造技術領域，具體涉及一種金屬互連結構及其形成方法。

背景技術

在半導體集成電路制造的后段(back end of line，BEOL)制程中，通常會形成金屬互連結構實現器件中電極的引出。通常，金屬互連結構的形成方法包括：在介質層中刻蝕形成金屬連線的溝槽后，填充金屬，再對金屬進行平坦化后，重復上述工藝直至形成金屬互連結構。

然而，隨著金屬互連結構的層數的疊加，晶圓的翹曲度也會越來越大，在對該晶圓進行光刻工藝時，翹曲度過高會導致工序報警，無法繼續該步驟的光刻工藝，需要對翹曲度過高的晶圓進行返工或廢棄，從而降低了產品的制造效率。

發明內容

本申請提供了一種金屬互連結構及其形成方法，可以解決相關技術中提供的金屬互連結構容易導致晶圓翹曲的問題。

一方面，本申請實施例提供了一種金屬互連結構，包括：

第一接觸孔，所述第一接觸孔形成于第一介質層中；

第二接觸孔，所述第二接觸孔形成于第二介質層中，所述第二接觸孔的頂部與所述第一接觸孔的底部接觸，所述第二接觸孔和所述第一接觸孔的構成材料不同；

金屬連線，所述金屬連線形成于第三介質層中，所述金屬連線的底部與所述第二接觸孔的頂部接觸，所述金屬連線和所述第一接觸孔的構成材料不同，所述第二介質層和所述第一介質層、所述第三介質層的應力不同。

在一些實施例中，所述第一接觸孔的構成材料包括銅。