[發明專利]晶片的轉移方法

在審

• 申請號: 202211030583.3
• 申請日: 2022-08-26
• 公開（公告）號: CN115775763A
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發明（設計）人: 柿沼良典
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/78;B23K26/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

1.一種晶片的轉移方法，該晶片定位于具有對晶片進行收納的開口部的第一框架的該開口部中，該轉移方法將一個面與該第一框架一起壓接于第一帶的該晶片轉移至壓接于第二框架的第二帶，其中，

該晶片的轉移方法具有如下的工序：

第二帶壓接工序，將壓接于該第二框架的該第二帶壓接于該晶片的另一個面，其中，該第二框架具有比該第一框架的該開口部的內徑小的外徑；

第一帶切斷工序，沿著該第二框架的外周將該第一帶切斷；

壓接力降低工序，對該第一帶賦予外部刺激而使壓接于該晶片的所述一個面的壓接力降低；以及

剝離工序，從壓接于該第二帶的該晶片的所述一個面剝離該第一帶。

2.根據權利要求1所述的晶片的轉移方法，其中，

該壓接力降低工序在該第二帶壓接工序之前實施。

3.根據權利要求1或2所述的晶片的轉移方法，其中，

該第一帶是紫外線硬化型帶，對該第一帶照射紫外線而實施該壓接力降低。