[發(fā)明專利]磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211028037.6
• 申請(qǐng)日: 2022-08-25
• 公開（公告）號(hào): CN115312592A
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州晶歌半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/737
• 分類號(hào): H01L29/737;H01L29/15;H01L29/205;H01L21/331
• 代理公司: 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;武岑飛

1.一種磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其特征在于，所述磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基區(qū)采用P型的InGaAs/GaAsSb超晶格結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其特征在于，所述磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管還包括：襯底、亞集電區(qū)、集電區(qū)、發(fā)射區(qū)、發(fā)射區(qū)接觸層、集電區(qū)電極、基區(qū)電極以及發(fā)射區(qū)電極；

其中，所述亞集電區(qū)、所述集電區(qū)、所述基區(qū)、所述發(fā)射區(qū)、所述發(fā)射區(qū)接觸層依序?qū)盈B設(shè)置在所述襯底上，所述集電區(qū)電極設(shè)置在所述亞集電區(qū)上，所述基區(qū)電極設(shè)置在所述基區(qū)上，所述發(fā)射區(qū)電極設(shè)置在所述發(fā)射區(qū)接觸層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其特征在于，所述襯底為半絕緣InP；和/或，所述亞集電區(qū)為N型摻Si的InGaAs；和/或，所述集電區(qū)為N型摻Si的InP；和/或，所述發(fā)射區(qū)為N型摻Si的InP；和/或，所述發(fā)射區(qū)接觸層為N型摻Si的InGaAs；和/或，所述P型的InGaAs/GaAsSb超晶格結(jié)構(gòu)為摻C的InGaAs/GaAsSb超晶格結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其特征在于，所述InGaAs/GaAsSb超晶格結(jié)構(gòu)中各InGaAs層的厚度相同，和/或所述InGaAs/GaAsSb超晶格結(jié)構(gòu)中各GaAsSb層的厚度相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其特征在于，所述InGaAs/GaAsSb超晶格結(jié)構(gòu)中InGaAs層的厚度從所述發(fā)射區(qū)到所述集電區(qū)依次增大，和/或所述InGaAs/GaAsSb超晶格結(jié)構(gòu)中各GaAsSb層的厚度相同。

6.一種磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：利用P型的InGaAs/GaAsSb超晶格結(jié)構(gòu)制作形成所述磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制作方法，其特征在于，在制作形成所述基區(qū)之前，所述制作方法還包括：在襯底上依序形成層疊的亞集電區(qū)和集電區(qū)；

所述利用P型的InGaAs/GaAsSb超晶格結(jié)構(gòu)制作形成所述磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基區(qū)的方法包括：利用P型的InGaAs/GaAsSb超晶格結(jié)構(gòu)在所述集電區(qū)上制作形成所述基區(qū)；

在制作形成所述基區(qū)之后，所述制作方法還包括：在所述基區(qū)上依序形成層疊的發(fā)射區(qū)和發(fā)射區(qū)接觸層；對(duì)所述發(fā)射區(qū)接觸層和所述發(fā)射區(qū)進(jìn)行局部腐蝕或刻蝕，使部分所述基區(qū)暴露出；在暴露出的區(qū)域?qū)λ龌鶇^(qū)和所述集電區(qū)進(jìn)行局部腐蝕或刻蝕，使部分所述亞集電區(qū)露出；分別在所述亞集電區(qū)上沉積集電區(qū)電極、在所述基區(qū)上沉積基區(qū)電極、在所述發(fā)射區(qū)接觸層上沉積發(fā)射區(qū)電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制作方法，其特征在于，所述襯底為半絕緣InP；和/或，所述亞集電區(qū)為摻Si的N型InGaAs；和/或，所述集電區(qū)為摻Si的N型InP；和/或，所述發(fā)射區(qū)為摻Si的N型InP；和/或，所述發(fā)射區(qū)接觸層為摻Si的N型InGaAs。