[發(fā)明專利]一種等離子體電極變形鏡在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211025460.0 | 申請日: | 2022-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN115390237A | 公開(公告)日: | 2022-11-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳振海;張君;龍蛟;薛嶠;鄭建剛;邵婷;肖凱博;張曉璐;林東暉;張雄軍 | 申請(專利權(quán))人: | 中國工程物理研究院激光聚變研究中心 |
| 主分類號: | G02B26/06 | 分類號: | G02B26/06;G02B7/185;H05H1/24;H05H1/34 |
| 代理公司: | 北京同輝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 于晶晶 |
| 地址: | 621999*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 等離子體 電極 變形 | ||
本發(fā)明公開了一種等離子體電極變形鏡,其技術(shù)方案要點(diǎn)是包括窗口;反射鏡,其與窗口平行設(shè)置;金屬陰極,其位于窗口與反射鏡之間;金屬陽極,其位于窗口與反射鏡之間;以及放電腔,其位于窗口與反射鏡之間,其內(nèi)存儲有放電氣體,金屬陰極和金屬陽極與放電腔內(nèi)的放電氣體接觸;通過兩電極對放電氣體進(jìn)行電離,形成低溫等離子體,等離子體含有大量可自由移動的電子和離子可視為導(dǎo)體,其次,低溫等離子體對通過的激光幾乎無影響,因此可以作為透明電極置于反射鏡表面用于驅(qū)動壓電層。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及自適應(yīng)光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,更具體的說,它涉及一種等離子體電極變形鏡。
背景技術(shù)
變形鏡,主要用于各種自適應(yīng)光學(xué)系統(tǒng)之中,用于校正激光的波前畸變,在自適應(yīng)光學(xué)系統(tǒng)中起著極其重要的作用。其中壓電薄膜型變形鏡因其具有變形量大、適合校正低階像差及制作簡單等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于自適應(yīng)光學(xué)系統(tǒng)中。
傳統(tǒng)壓電薄膜型變形鏡是在壓電層兩側(cè)鍍金屬膜作為電極使用,然后粘在反射鏡背面,但壓電層、金屬膜和反射鏡材料的熱膨脹系數(shù)不同,在制作和使用過程中因熱效應(yīng)導(dǎo)致材料形變不同進(jìn)而損壞金屬膜層。此外,在高功率激光裝置應(yīng)用中,如美國NIF裝置、歐洲的LMJ裝置,由于反射鏡的剩余透射率,導(dǎo)致一部分的激光能量透過反射鏡照在金屬膜層上,當(dāng)激光能量足夠大時(shí),也會損壞金屬膜層,導(dǎo)致變形鏡損壞。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種等離子體電極變形鏡,其通過兩電極對放電氣體進(jìn)行電離形成低溫等離子體,等離子體含有大量可自由移動的電子和離子可視為導(dǎo)體,其次,低溫等離子體對激光幾乎無影響,因此可以作為透明電極置于反射鏡表面,代替金屬膜層電極用于驅(qū)動壓電層。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:一種等離子體電極變形鏡,包括窗口;
反射鏡,其與窗口平行設(shè)置;
金屬陰極,其位于窗口與反射鏡之間;
金屬陽極,其位于窗口與反射鏡之間;
放電腔,其位于窗口與反射鏡之間,其內(nèi)存儲有放電氣體,金屬陰極和金屬陽極與放電腔內(nèi)的放電氣體接觸;
壓電層,其與反射鏡背面連接;
以及電極層,其由多個(gè)分立電極陣列組成,并且與壓電層連接。
通過采用上述技術(shù)方案,通過兩電極對放電氣體進(jìn)行電離形成低溫等離子體,等離子體含有大量可自由移動的電子和離子可視為導(dǎo)體,其次,低溫等離子體對通過的激光幾乎無影響,因此可以作為透明電極置于反射鏡表面,代替金屬膜層電極用于驅(qū)動壓電層。
本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為:還包括高壓電源,其陽極和陰極分別與金屬陽極和金屬陰極連接。
本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為:所述金屬陽極和金屬陰極設(shè)置為鋁、鐵、銀或合金。
本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為:所述金屬陽極和金屬陰極設(shè)置為矩形、鋸齒形或圓弧形。
本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為:所述金屬陰極和金屬陽極完全處于放電腔內(nèi)且分別位于放電腔兩側(cè)。
本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為:所述放電氣體設(shè)置為氦氣、氖氣、氬氣、氮?dú)饣蚧旌蠚怏w。
本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為:所述放電腔內(nèi)的放電氣體在金屬陰極和金屬陽極的高壓電的作用下產(chǎn)生低溫等離子體。
通過采用上述技術(shù)方案,通過將放電氣體電離之后的等離子體設(shè)置為低溫等離子體,能夠進(jìn)一步提高對激光的透射率。
本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為:所述壓電層為壓電陶瓷材料或電致伸縮材料制成。
本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為:還包括公共電極層,其設(shè)置在壓電層與電極層之間;
以及輔助壓電層,其設(shè)置在公共電極層與電極層之間。
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