[發明專利]一種制備各向異性釹鐵硼磁粉的裝置、方法、釹鐵硼磁粉

在審

• 申請號: 202210998914.6
• 申請日: 2022-08-19
• 公開（公告）號: CN115394550A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 楊俊;王岳;黃東亞;莫漫漫;林百春;楊澍
• 申請（專利權）人: 中國船舶重工集團公司第七二五研究所
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/057
• 代理公司: 北京市中聯創和知識產權代理有限公司 11364
• 代理人: 趙肖良;吳泉洲

1.一種制備各向異性釹鐵硼磁粉的裝置，其特征在于，所述裝置為HDDR擴散處理爐，其包括基于HDDR工藝的制粉爐爐體(1)及其爐體主腔(11)，所述制粉爐爐體(1)在其外壁面上凸起設置有與所述爐體主腔(11)呈密閉導通的外腔(2)，所述外腔(2)鄰近所述爐體主腔(11)處開設有用于裝存并阻隔擴散源粉末(4)的開關閥(3)，所述開關閥(3)的阻隔閥體(31)上，開設有多個孔徑小于所述擴散源粉末(4)的透氣孔(311)。

2.根據權利要求1所述的一種制備各向異性釹鐵硼磁粉的裝置，其特征在于，所述外腔(2)在其上端面處開設有活動封蓋(21)。

3.根據權利要求1或2所述的一種制備各向異性釹鐵硼磁粉的裝置，其特征在于，所述爐體主腔(11)內裝設有攪拌板(6)，和/或所述制粉爐爐體(1)配置有旋轉驅動裝置。

4.一種制備各向異性釹鐵硼磁粉的方法，其特征在于，使用如權利要求1-3中任一項所述的裝置，所述方法包括如下步驟：

S1：擴散源粉末(4)的制備；

S2：磁粉物料(5)和擴散源粉末(4)的分別裝存；

S3：爐體主腔(11)和外腔(2)抽真空；

S4：開啟HDDR工藝制粉，擴散源粉末(4)在外腔(2)中被預熱處理；

S5：隨著HDDR制備工藝的進行，阻隔閥體(31)打開，擴散源粉末(4)與磁粉物料(5)在高溫的爐體主腔(11)中發生混合與晶界熱擴散；

S6：基于晶界熱擴散處理加持下，制備得到各向異性釹鐵硼磁粉。

5.根據權利要求4所述的一種制備各向異性釹鐵硼磁粉的方法，其特征在于，擴散源粉末(4)采用稀土單質、稀土合金、稀土氫化物中的任意一種擴散源材料制備而成。

6.根據權利要求5所述的一種制備各向異性釹鐵硼磁粉的方法，其特征在于，步驟S1包括如下三種制備方式：

S11：當擴散源材料為稀土單質、稀土合金、稀土氫化物中的任意一種時，采用氫處理破碎，制取粒徑100～500μm的顆粒粉末，隨后破碎至50nm～50μm；

S12：當擴散源材料為稀土單質、稀土合金中的任意一種時，采用高溫蒸發冷凝制備粒徑50nm～50μm的粉末顆粒；

S13：當擴散源材料為稀土單質、稀土合金中的任意一種時，采用霧化極冷方式制備粒徑50nm～50μm的粉末顆粒。

7.根據權利要求4所述的一種制備各向異性釹鐵硼磁粉的方法，其特征在于，步驟S3中，爐體主腔(11)和外腔(2)均抽高真空至10^-3～10^-2Pa。

8.根據權利要求4-7中任一項所述的一種制備各向異性釹鐵硼磁粉的方法，其特征在于，步驟S5包括如下具體執行步驟：

S51：在HDDR制備工藝的脫氫階段，打開阻隔閥體(31)，擴散源粉末(4)進入高溫的爐體主腔(11)中；

S52：攪拌板(6)和/或旋轉驅動裝置啟動，使得擴散源粉末(4)與磁粉物料(5)充分混合；

S53：擴散源粉末(4)在磁粉物料(5)表面發生晶界熱擴散，沿晶界進入主相，使磁粉晶界寬化、富釹相分布均勻連續，釹鐵硼主相周邊磁晶各向異性場提高。

9.根據權利要求8所述的一種制備各向異性釹鐵硼磁粉的方法，其特征在于，步驟S6包括如下具體執行步驟：

S61：HDDR制備工藝的脫氫與再復合相變階段，與晶界熱擴散處理同時進行；

S62：基于晶界熱擴散處理的加持，在爐體冷卻后即制備得到各向異性高矯頑力釹鐵硼磁粉。

10.一種釹鐵硼磁粉，其特征在于，使用如權利要求4-9中任一項所述的方法制備而成。