[發明專利]半導體器件及其制作方法在審
| 申請號： | 202210949682.5 | 申請日： | 2022-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN115706147A | 公開（公告）日： | 2023-02-17 |
| 發明（設計）人： | 納文·加納戈納;張基松 | 申請（專利權）人： | 半導體元件工業有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/861;H01L21/329;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚開麗 |
| 地址： | 美國亞*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制作方法 | ||
1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：
背側觸點；
與所述背側觸點相鄰的襯底；
外延場闌區，所述外延場闌區形成在所述襯底上并且具有隨著與所述襯底的距離增大而減小的漸變摻雜分布；
與所述外延場闌區相鄰的外延漂移區；以及
形成在所述外延漂移區上的前側器件。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述外延場闌區包括鄰近所述襯底的質子注入物。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述漸變摻雜分布隨著與所述襯底的距離增大而線性地減小。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述漸變摻雜分布隨著與所述襯底的距離增大而階梯式減小。
5.一種半導體器件，所述半導體器件包括：
背側觸點；
襯底，所述襯底與所述背側觸點相鄰并且具有第一導電類型的摻雜；
外延場闌區，所述外延場闌區形成在所述襯底上并且具有隨著與所述襯底的距離增大而減小的第二導電類型的漸變摻雜分布；
外延漂移區，所述外延漂移區與所述外延場闌區相鄰并且具有所述第二導電類型的基本上均勻的摻雜分布；以及
形成在所述外延漂移區上的前側器件。
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述外延場闌區包括鄰近所述襯底的質子注入物。
7.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述漸變摻雜分布隨著與所述襯底的距離增大而階梯式減小。
8.一種制作半導體器件的方法，所述方法包括：
在襯底上執行至少一個外延生長工藝，以獲得在所述襯底上的外延場闌區和在所述外延場闌區上的外延漂移區；以及
執行前側處理以在所述外延漂移區上形成至少一個前側器件。
9.根據權利要求8所述的方法，其中執行所述至少一個外延生長工藝包括：在所述外延場闌區內形成隨著與所述襯底的距離增大而線性地減小的漸變摻雜分布。
10.根據權利要求9所述的方法，其中形成所述漸變摻雜分布包括：
將所述至少一個外延生長工藝作為多步外延生長工藝執行，以獲得所述外延場闌區內的摻雜峰；以及
在所述前側處理期間執行退火工藝，所述退火工藝擴散所述摻雜峰，從而提供所述漸變摻雜分布。
11.根據權利要求8所述的方法，其中所述外延場闌區和所述外延漂移區具有第一導電類型的摻雜，所述方法還包括：
執行背側注入工藝以在所述外延場闌區的鄰近所述襯底的區域中注入所述第一導電類型的摻雜劑。
12.根據權利要求8所述的方法，所述方法還包括：
在所述前側處理之后，執行背側磨削工藝以使所述襯底薄化。
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