[發明專利]一種防電流反灌的電路結構

有效

• 申請號: 202210947645.0
• 申請日: 2022-08-09
• 公開（公告）號: CN115021539B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 楊鎮;徐偉;王蕾;張鳳菊
• 申請（專利權）人: 無錫力芯微電子股份有限公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088;H02M1/32;H02M1/00;H02J7/00
• 代理公司: 無錫知更鳥知識產權代理事務所(普通合伙) 32468
• 代理人: 張勝飛

1.一種防電流反灌的電路結構，包括功率開關管M1、比較器CMP和前置驅動電路Driver；所述功率開關管M1的IN端與比較器CMP的同相輸入端相連，所述功率開關管M1的OUT端與比較器CMP的反相輸入端相連，比較器CMP的輸出端與前置驅動電路Driver適配連接，前置驅動電路Driver與功率開關管M1適配連接，用于驅動功率開關管M1導通；其特征在于還包括運算放大器S1，運算放大器S1的反饋端B與功率開關管M1的OUT端相連，運算放大器S1的電壓輸入端A接輸入電壓，該輸入電壓的值低于功率開關管M1的IN端電壓值，運算放大器S1的輸出端與前置驅動電路Driver適配連接；采用運算放大器閉環負反饋特性，使運算放大器S1的反饋端B的電壓跟隨電壓輸入端A的電壓，從而確保功率開關管M1的IN端電壓始終大于功率開關管M1的OUT端電壓。

2.如權利要求1所述的防電流反灌的電路結構，其特征在于所述功率開關管M1由兩個同樣的MOS管背靠背串聯而成。

3.如權利要求2所述的防電流反灌的電路結構，其特征在于兩個所述MOS管均為N溝道MOS管，且它們的襯底級均寄生有二極管，兩個MOS管的源極串聯在一起，兩個MOS管的柵極均與所述前置驅動電路相連，其中一個MOS管的漏極為功率開關管M1的IN端，另一個MOS管的漏極為功率開關管M1的OUT端。

4.如權利要求1~3中任一項所述的防電流反灌的電路結構，其特征在于所述功率開關管M1的IN端與電阻R的一端相連，電阻R的另一端與運算放大器S1的電壓輸入端A相連，形成所述輸入電壓。

5.如權利要求4所述的防電流反灌的電路結構，其特征在于與運算放大器S1的電壓輸入端A相連的電阻R一端串聯電流源I后接地。