[發(fā)明專(zhuān)利]一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210941380.3
• 申請(qǐng)日: 2022-08-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115020373B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳彥亨;林正忠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/498
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)包括：扇出基板單元和二次扇出單元；

所述扇出基板單元包括第一焊料陣列、第一布線(xiàn)層、導(dǎo)電通孔柱、第二布線(xiàn)層、抗氧化層、第一封裝層；

所述第一布線(xiàn)層包括相對(duì)的第一底面和第一頂面；所述第一焊料陣列設(shè)置于所述第一布線(xiàn)層的所述第一底面上；

所述第二布線(xiàn)層包括相對(duì)的第二底面和第二頂面；所述第一頂面和所述第二底面通過(guò)所述導(dǎo)電通孔柱形成有效電連接；所述抗氧化層設(shè)置在所述第二頂面上，所述導(dǎo)電通孔柱通過(guò)于所述第二布線(xiàn)層的第二底面上形成多個(gè)導(dǎo)電通孔柱后在所述多個(gè)導(dǎo)電通孔柱之間填充第一封裝層得到，所述第一封裝層的材料為環(huán)氧樹(shù)脂；

所述第一封裝層填充從所述第一頂面到所述第二底面的區(qū)域，包裹所述導(dǎo)電通孔柱；

所述二次扇出單元包括第二封裝層、第三布線(xiàn)層、第二焊料陣列；

所述第三布線(xiàn)層包括相對(duì)的第三底面和第三頂面；第三布線(xiàn)層包括依次層疊的多個(gè)線(xiàn)路層，每層線(xiàn)路層的線(xiàn)寬和線(xiàn)距自第三頂面向第三底面逐漸縮小；

所述第一布線(xiàn)層、所述第二布線(xiàn)層、所述第三布線(xiàn)層均包括依次層疊的多個(gè)線(xiàn)路層和多個(gè)電介質(zhì)層，以及位于相鄰兩線(xiàn)路層之間的導(dǎo)電通孔；所述第三布線(xiàn)層位于所述第三頂面的線(xiàn)路層線(xiàn)寬為1.5微米-5微米，線(xiàn)路層線(xiàn)距為1.5微米-5微米；

所述第二焊料陣列設(shè)置于所述扇出基板單元的所述第二頂面和所述二次扇出單元的所述第三底面之間；所述二次扇出單元被所述第二封裝層填充形成封裝體；所述第二焊料陣列填充有第一填充層，所述第一填充層包裹所述第二焊料陣列，所述扇出型封裝結(jié)構(gòu)的外圍安裝有散熱結(jié)構(gòu)，所述散熱結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)熱硅脂、硅基微流道、散熱片或兩相強(qiáng)制對(duì)流器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一封裝層還包裹所述第一布線(xiàn)層和所述第二布線(xiàn)層，填充從所述第一底面到所述第二頂面的區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)還包括半導(dǎo)體芯片組，所述半導(dǎo)體芯片組設(shè)置在所述二次扇出單元的所述第三頂面上；所述半導(dǎo)體芯片組包括相對(duì)的焊接面和外接面；所述半導(dǎo)體芯片組的焊接面與所述第三布線(xiàn)層的所述第三頂面通過(guò)電連接結(jié)構(gòu)形成有效電連接；

所述半導(dǎo)體芯片組與所述第三頂面之間的所述電連接結(jié)構(gòu)被第二填充層填充；

所述第二封裝層填充形成的封裝體包裹所述二次扇出單元、所述半導(dǎo)體芯片組及其之間的所述電連接結(jié)構(gòu)。

4.一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供第一臨時(shí)基底；于所述第一臨時(shí)基底上形成第一分離層；于所述第一分離層上形成第二布線(xiàn)層，所述第二布線(xiàn)層包括相對(duì)的第二底面和第二頂面，所述第一分離層與所述第二布線(xiàn)層的第二頂面接觸；

于所述第二布線(xiàn)層的第二底面上形成多個(gè)導(dǎo)電通孔柱；在所述多個(gè)導(dǎo)電通孔柱之間填充第一封裝層；研磨所述第一封裝層至顯露出所述導(dǎo)電通孔柱，所述第一封裝層的材料為環(huán)氧樹(shù)脂；于所述第一封裝層上形成第一布線(xiàn)層，所述第一布線(xiàn)層包括相對(duì)的第一底面和第一頂面，所述第一頂面與所述多個(gè)導(dǎo)電通孔柱形成有效電連接；

于所述第一底面上設(shè)置第一焊料陣列并與所述第一焊料陣列形成有效電連接；所述第一臨時(shí)基底通過(guò)所述第一分離層與所述第二頂面去鍵合；于所述第一底面上形成抗氧化層；經(jīng)過(guò)上述步驟形成扇出基板件；將得到的所述扇出基板件進(jìn)行切割形成多個(gè)扇出基板單元；

提供第二臨時(shí)基底，于所述第二臨時(shí)基底上形成第二分離層；于所述第二分離層上形成第三布線(xiàn)層，所述第三布線(xiàn)層包括相對(duì)的第三底面和第三頂面，第三布線(xiàn)層包括依次層疊的多個(gè)線(xiàn)路層，每層線(xiàn)路層的線(xiàn)寬和線(xiàn)距自第三頂面向第三底面逐漸縮小；所述第三布線(xiàn)層的所述第三底面與所述第二分離層接觸；

所述第二臨時(shí)基底通過(guò)所述第二分離層與所述第三底面去鍵合；

于所述第三底面上形成第二焊料陣列，所述第二焊料陣列與所述第三底面形成有效電連接；經(jīng)過(guò)上述步驟形成二次扇出件；將得到的所述二次扇出件進(jìn)行切割形成多個(gè)二次扇出單元；

將所述二次扇出單元的所述第三底面通過(guò)所述第二焊料陣列設(shè)置在所述扇出基板單元的所述第二頂面上，與所述第二頂面形成有效電連接；于所述第二焊料陣列填充第一填充層，所述第一填充層包裹所述第二焊料陣列，然后于扇出型封裝結(jié)構(gòu)的外圍安裝散熱結(jié)構(gòu)，所述散熱結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)熱硅脂、硅基微流道、散熱片或兩相強(qiáng)制對(duì)流器。