[發明專利]一種集成異質結二極管的平面柵碳化硅MOSFET的制造方法

在審

• 申請號: 202210936355.6
• 申請日: 2022-08-05
• 公開（公告）號: CN115360096A
• 公開（公告）日: 2022-11-18
• 發明（設計）人: 張瑜潔;李昀佶;單體瑋
• 申請（專利權）人: 泰科天潤半導體科技（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/16;H01L29/423
• 代理公司: 福州市鼓樓區京華專利事務所(普通合伙) 35212
• 代理人: 王牌

1.一種集成異質結二極管的平面柵碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，具體包括如下步驟：

步驟1、在碳化硅襯底的漂移層上形成阻擋層，并對阻擋層蝕刻形成通孔，通過通孔對漂移層進行離子注入，形成第一基區、第二基區、第三基區以及第四基區；

步驟2、在漂移層上重新形成阻擋層，并對阻擋層蝕刻形成通孔，通過通孔對所述第一基區、第二基區、第三基區以及第四基區進行離子注入，形成源區；

步驟3、重新形成阻擋層，并對阻擋層蝕刻形成通孔，通過通孔氧化，形成第一柵介質隔離層以及第二柵介質隔離層；

步驟4、重新形成阻擋層，并對阻擋層蝕刻形成通孔，通過通孔在源區上淀積金屬，形成第一源極金屬層以及第二源極金屬層；

步驟5、重新形成阻擋層，并對阻擋層蝕刻形成通孔，通過通孔在柵介質隔離層上淀積金屬，形成第一柵極金屬層以及第二柵極金屬層；

步驟6、重新形成阻擋層，并對阻擋層蝕刻形成通孔，通過通孔淀積，形成源極異質結；

步驟7、清除所有阻擋層，并在碳化硅襯底上淀積金屬，形成漏極金屬層。

2.如權利要求1所述的一種集成異質結二極管的平面柵碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，所述第一基區、第二基區、第三基區以及第四基區均為P型。