[發明專利]Cu-Mxene二維納米片材料的制法和電催化劑應用在審
| 申請號： | 202210927052.8 | 申請日： | 2022-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN115181989A | 公開（公告）日： | 2022-10-14 |
| 發明（設計）人： | 葉偉;徐夢秋 | 申請（專利權）人： | 杭州師范大學 |
| 主分類號： | C25B3/09 | 分類號： | C25B3/09;C25B3/07;C25B3/29;C25B11/091;C01B32/90;C25D3/38;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 陳煒 |
| 地址： | 311121 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cu mxene 二維 納米 材料 制法 催化劑 應用 | ||
【權利要求書】：
1.Cu-Mxene二維納米片材料的制法，其特征在于，該方法具體如下：
步驟(1)將質量濃度為40～50﹪的氫氟酸和濃度為12mol/L的濃鹽酸按照體積比0.8～1.2:1混合加入反應容器中；
步驟(2)混合溶液中加入Ti3AlC2粉末，磁力攪拌均勻成懸浮液；每升混合溶液加入50～100gTi3AlC2粉末；
步驟(3)將懸浮液置于恒溫油浴，40～50℃下反應45～50小時；
步驟(4)反應結束后降至常溫，將反應產物用去離子水多次離心洗滌，直到洗滌液的pH值達到6.9～7.1之間；
步驟(5)50～80℃真空干燥12～36小時，得到Mxene材料；
步驟(6)將Mxene材料置于在原子沉積設備中，沉積ALD銅源，N2脈沖時間為100～200s，沉積ALD銅源層數為5～15層，得到Cu-Mxene二維納米片材料。
2.一種Cu-Mxene二維納米片材料，采用權利要求1方法制備得到。
3.如權利要求2所述的一種Cu-Mxene二維納米片材料作為電催化劑在C-N偶聯為尿素上的應用。
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