[發明專利]一種IGBT性能測試工裝在審
| 申請號: | 202210924908.6 | 申請日: | 2022-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN115166299A | 公開(公告)日: | 2022-10-11 |
| 發明(設計)人: | 諸建周;談益民;呂文生 | 申請(專利權)人: | 江蘇東海半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R1/02 | 分類號: | G01R1/02;G01R1/04;G01R31/26 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 igbt 性能 測試 工裝 | ||
本發明屬于IGBT測試技術領域,具體的說是一種IGBT性能測試工裝,包括測試座;所述測試座的表面中部設置有承載座;所述承載座的內部開設有裝配槽;所述裝配槽的數量設置多個,且呈圓周陣列設置在承載座的內部;每個所述裝配槽的內部均滑動連接有母排座;所述承載座的外表面轉動連接有轉動軸;所述轉動軸遠離承載座的一側與外界驅動電機的輸出端相連接;所述測試座的外表面滑動連接有調試架;設置了多個裝配槽,所以承載座會帶動不同位置處的裝配槽和不同的母排座轉動至靠近調試架的一側,從而能夠根據所需母排座的測試模塊而進行自動調節,進而能夠對不同規格的IGBT樣品進行測試,使用范圍廣泛,提高了IGBT樣品的測試效率。
技術領域
本發明屬于IGBT測試技術領域,具體的說是一種IGBT性能測試工裝。
背景技術
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。
公開號為CN213750180U的一項中國專利公開了用于多規格IGBT性能測試的測試工裝,包括支撐桿、工作臺、測試裝置和輸送平臺,所述工作臺固定在所述支撐桿的上端面上,所述測試裝置和所述輸送平臺均固定在所述工作臺的上端面,所述測試裝置上設有連接電筆、電筆放置桿、連接板和控制裝置,所述電筆放置桿和所述連接板均位于所述測試裝置的右端面上,兩個所述連接電筆通過螺旋電線分別纏繞在兩個所述電筆放置桿上,兩個所述連接電筆均通過電線連接所述測試裝置,所述控制裝置固定在所述連接板的右端部位的下端面上,所述控制裝置通過電線連接所述測試裝置、所述輸送平臺的輸送電機。該申請裝置方便大規模IGBT樣品性能測試,節省人力。
在現有技術中,一般只是簡單的使用輸送板來對IGBT樣品進行輸送,但是不同規格封裝的IGBT樣品需要使用不同的母排模塊來進行檢測,在對不同的母排模塊進行調節時較為麻煩,影響了對IGBT樣品的正常檢測。
為此,本發明提供一種IGBT性能測試工裝。
發明內容
為了彌補現有技術的不足,解決背景技術中所提出的至少一個技術問題。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:本發明所述的一種IGBT性能測試工裝,包括測試座;所述測試座的表面中部設置有承載座;所述承載座的內部開設有裝配槽;所述裝配槽的數量設置多個,且呈圓周陣列設置在承載座的內部;每個所述裝配槽的內部均滑動連接有母排座;所述承載座的外表面轉動連接有轉動軸;所述轉動軸遠離承載座的一側與外界驅動電機的輸出端相連接;所述測試座的外表面滑動連接有調試架;所述測試座的表面開設有與調試架相適配的柱型槽;在現有技術中,一般只是簡單的使用輸送板來對IGBT樣品進行輸送,但是不同規格封裝的IGBT樣品需要使用不同的母排模塊來進行檢測,在對不同的母排模塊進行調節時較為麻煩,影響了對IGBT樣品的正常檢測;工作時,在對IGBT樣品進行檢測時,將IGBT樣品放置在裝配槽中的母排座中,之后工作人員通過調節調試架,將調試架移動至母排座的正上方,之后通過調試架中電子測試板便可對母排座中的IGBT樣品進行正常性能測試,此處為現有技術,在本實施例中不作多余贅述;同時通過外界驅動電機帶動轉動軸和承載座轉動,使承載座呈一定角度的轉動,由于設置了多個裝配槽,所以承載座會帶動不同位置處的裝配槽和不同的母排座轉動至靠近調試架的一側,從而能夠根據所需母排座的測試模塊而進行自動調節,進而能夠對不同規格的IGBT樣品進行測試,使用范圍廣泛,提高了IGBT樣品的測試效率。
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