[發明專利]一種硅錳造渣精煉去除工業硅中硼雜質的方法在審
| 申請號: | 202210896818.0 | 申請日: | 2022-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN115353110A | 公開(公告)日: | 2022-11-18 |
| 發明(設計)人: | 蔡云;蔡華憲;李瑞宇;羅學濤 | 申請(專利權)人: | 商南中劍實業有限責任公司 |
| 主分類號: | C01B33/037 | 分類號: | C01B33/037 |
| 代理公司: | 安徽濰達知識產權代理事務所(普通合伙) 34166 | 代理人: | 羅琳 |
| 地址: | 726300 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 造渣 精煉 去除 工業 硅中硼 雜質 方法 | ||
本發明公開了一種硅錳造渣精煉去除工業硅中硼雜質的方法,包括下列步驟:S1:將待提純的工業硅和金屬錳放入中頻爐中,并使爐內溫度升至1500~1700℃,得到硅錳熔融合金;S2:將所述硅錳熔融合金進行保溫2~4h,得到保溫后硅錳熔融合金;S3:將所述保溫后的硅錳熔融合金中加入CaO和CaF2渣劑,得到反應產物;S4:將所述反應產物中持續通入氧氣,造渣5~7h后得到造渣產物;S5:將造渣產物進行鹽酸和氫氟酸混合酸酸洗,并將酸洗后產物水洗至中性,再進行干燥,得到高純硅。該方法實現了工業硅的高效提純,特別是對于硅中硼雜質的去除,能有效將其降低至太陽能級硅標準,并且工藝簡單,成本低廉,節約成本和人力,十分適合工業化推廣使用。
技術領域
本發明屬于多晶硅提純技術領域,尤其涉及一種硅錳造渣精煉去除工業硅中硼雜質的方法。
背景技術
隨著環境問題的日益嚴峻,尋求新型可再生能源成為了目前亟待解決的問題之一,太陽能因為其具有取之不盡用之不竭等天然優勢,引起人們對太陽能的廣泛關注。
太陽能電池作為太陽能的主要應用之一有著十分廣闊前景,其中太陽能電池又以多晶硅太陽能電池為主,目前太陽能電池所使用的多晶硅主要有兩種方法制備:一種是化學法,即將工業硅轉化為中間產物,再通過化學法對中間產物進行提純,最后再將其還原成高純硅,盡管化學法得到硅純度高,質量好,但是其工藝較為復雜,且工藝成本較高;另一種是冶金法,冶金法主要是通過硅中雜質的物理性質不同,通過不同種工藝的組合,從而將雜質分級去除,冶金法主要包括造渣法、真空精煉、定向凝固等方法。
發明內容
基于背景技術存在的技術問題,本發明提出了一種硅錳造渣精煉去除工業硅中硼雜質的方法。
本發明提出的一種硅錳造渣精煉去除工業硅中硼雜質的方法,包括下列步驟:
S1:將待提純的工業硅和金屬錳放入中頻爐中,并使爐內溫度升至1500~1700℃,得到硅錳熔融合金;
S2:將所述硅錳熔融合金進行保溫2~4h,得到保溫后硅錳熔融合金;
S3:將所述保溫后的硅錳熔融合金中加入CaO和CaF2渣劑,得到反應產物;
S4:將所述反應產物中持續通入氧氣,造渣5~7h后得到造渣產物;
S5:將造渣產物進行鹽酸和氫氟酸混合酸酸洗,并將酸洗后產物水洗至中性,再進行干燥,得到高純硅。
優選地,其中步驟S1中,所述工業硅和金屬錳分別以硅塊和錳塊的形式使用,所述工業硅和錳塊的加入量的質量比為1:(0.05~0.1),工業硅純度為2~3N,錳塊純度為3~4N。
優選地,其中步驟S2中保溫溫度為1400~1500℃。
優選地,其中步驟S3中,所述CaO和CaF2分別以粉末的形式使用,純度為2~3N,所述CaO和CaF2的加入量的質量比為1:(0.1~0.15)。
優選地,其中步驟S4中通入氧氣流量為200~400ml/min。
優選地,其中步驟S5中混合酸中氫氟酸濃度為2~3mol/L,鹽酸濃度為1~3mol/L,酸洗溫度為50~80℃,時間為3~6h。
優選地,所述中頻爐包括外爐體和內爐體,所述內爐體固定安裝在外爐體內,所述內爐體與外爐體之間設置有加熱層,所述外爐體內的底部固定安裝有放氣管,所述放氣管上安裝有多個氣口,所述內爐體內設置有弧形管,所述弧形管的下表面楔形,所述弧形管的兩端設置有連接口,兩個所述連接口分別與放氣管的兩端連接,所述弧形管上連通有兩個連接管,所述外爐體的上端設置有密封蓋,所述密封蓋一側轉動連接有活動板,兩個所述連接管滑動穿過密封蓋,所述密封蓋上設置有升降機構;
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