[發明專利]發光裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 202210870809.4 | 申請日: | 2022-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN115050863A | 公開(公告)日: | 2022-09-13 |
| 發明(設計)人: | 洪瑜亨;蔡維晟;黃耀緯;陳仕誠;郭浩中 | 申請(專利權)人: | 鴻海精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L33/04;G02B27/00 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 康艷青;王琳 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造發光裝置的方法,其特征在于,包括:
形成發光元件;
通過電子計算器執行超穎介面的模擬,包括:
決定偏折方向與偏折角度;
依據該偏折角度與該發光元件的出光波長,決定該超穎介面在該偏折方向上的超晶胞周期長度;
建立該超穎介面的超穎介面模型,其中該超穎介面模型具有多個單位晶胞,所述多個單位晶胞的多個相位補償值在該偏折方向上以該超晶胞周期長度周期性地分布;
調整所述多個單位晶胞的相位補償值并設置該出光波長的光源,以模擬該超穎介面模型在不同的所述多個相位補償值下的多個穿透率;以及
選定在所述多個穿透率的穿透率峰值下的所述多個相位補償值作為該超穎介面的多個工藝參數;
基于該模擬,形成該超穎介面;以及
放置該超穎介面于該發光元件的出光側上。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,形成的該超穎介面進一步包括透明基材,所述多個超穎原子形成于該透明基材上,放置該超穎介面于該發光元件的該出光側上包括:
異質接合該超穎介面的該透明基材至該發光元件的該出光側。
3.如權利要求1至2任一所述的方法,其特征在于,所述多個單位晶胞以六角晶格周期性排列。
4.如權利要求1至3任一所述的方法,其特征在于,每一該單位晶胞包括超穎原子柱,所述多個超穎原子柱包括相同高度的多個正方柱或多個圓柱,所述多個單位晶胞的所述多個超穎原子柱分別產生所述多個單位晶胞的所述多個相位補償值,調整所述多個單位晶胞的相位補償值包括:
調整所述多個超穎原子柱的多個寬度。
5.如權利要求1至4任一所述的方法,其特征在于,當通過該電子計算器執行該超穎介面的該模擬時,該超晶胞周期長度從該超穎介面模型的所述多個單位晶胞定義出相同的多個超晶胞,每一該超晶胞包括:
第一單位晶胞,具有第一相位補償值;以及
多個從屬單位晶胞,相對該第一單位晶胞沿該偏折方向等距地排列,其中所述多個從屬單位晶胞具有多個從屬相位補償值,所述多個相位補償值相對該第一相位補償值沿該偏折方向等差地增加,
其中調整所述多個單位晶胞的相位補償值包括:
針對每一該超晶胞,調整該第一單位晶胞的該第一相位補償值,并且使得所述多個從屬單位晶胞的所述多個從屬相位補償值相應該第一相位補償值調整。
6.一種制造發光裝置的方法,其特征在于,包括:
形成發光元件;
形成超穎介面,其中該超穎介面具有多個單位晶胞,每一該單位晶胞具有相應相位補償值的超穎原子柱,所述多個超穎原子柱具有相同的高度與不同寬度,且在偏折方向上具有該超穎介面的超晶胞周期長度的周期性,其中該超晶胞周期長度由預定偏折角度與該發光元件的出光波長所決定;以及
接合該超穎介面于該發光元件的出光側上。
7.如權利要求6所述的方法,其特征在于,進一步包括:
在接合該超穎介面于該發光元件的該出光側上之前,檢測該超穎介面的穿透率。
8.一種發光裝置,其特征在于,包括:
發光元件,包括出光側并具有出光波長的光源;以及
超穎介面,位于該發光元件的該出光側上,其中該超穎介面包括沿偏折方向的超晶胞周期長度周期性排列多個單位晶胞,每一該單位晶胞相對該出光波長具有相應相位補償值的超穎原子柱,其中該超晶胞周期長度從所述多個單位晶胞中定義出相同的多個超晶胞,每一該超晶胞包括:
第一單位晶胞,其中該第一單位晶胞具有對應第一相位補償值的第一超穎原子柱;以及
多個從屬單位晶胞,相對該第一單位晶胞沿該偏折方向等距地排列,其中所述多個從屬單位晶胞具有多個從屬相位補償值,所述多個相位補償值相對該第一相位補償值沿該偏折方向等差地增加,所述多個從屬相位補償值中的任意一者與該第一相位補償值的差值小于360度,
其中該第一相位補償值設置使該超穎介面相對該出光波長具有一穿透率峰值。
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