[發明專利]光電二極管器件、光敏探測器及檢測裝置

有效

• 申請號: 202210867717.0
• 申請日: 2022-07-21
• 公開（公告）號: CN115132872B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 馮宏慶;陳恒
• 申請（專利權）人: 杭州海康微影傳感科技有限公司
• 主分類號: H01L31/102
• 分類號: H01L31/102;H01L31/0352
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種光電二極管器件，其特征在于，包括：

半導體襯底，包括相對的第一表面和第二表面；

第一摻雜區，位于所述半導體襯底內，且一部分裸露于所述第一表面，所述第一摻雜區與所述半導體襯底形成第一PN結；

第二摻雜區，位于第一摻雜區內，且一部分裸露于所述第一表面；所述第二摻雜區與所述第一摻雜區的導電型不同；

第三摻雜區，位于第二摻雜區內，且一部分裸露于所述第一表面；所述第三摻雜區與所述第二摻雜區形成第二PN結；

至少一個第四摻雜區，位于所述半導體襯底內，且一部分裸露于所述第二表面，所述第四摻雜區的導電型與所述半導體襯底的導電型相同，且所述第四摻雜區的摻雜濃度大于所述半導體襯底的摻雜濃度；所述第一摻雜區、所述第二摻雜區以及所述第三摻雜區中的任意一個在所述第二表面的垂直投影與所述至少一個第四摻雜區在所述第二表面的垂直投影交疊；以及，

第一電極，設置于所述第三摻雜區遠離所述第二表面的一側，且與所述第三摻雜區電連接，所述第一電極用于和所述半導體襯底之間形成第一電場，所述第一電場與所述第二PN結的內建電場方向相同。

2.根據權利要求1所述的光電二極管器件，其特征在于，所述光電二極管器件包括多個所述第四摻雜區，所述多個第四摻雜區間隔設置。

3.根據權利要求1或2所述的光電二極管器件，其特征在于，所述光電二極管器件還包括：

第一引線，所述第一引線的第一端與所述第一電極電連接，第二端用于接收第一電壓；以及，

第二引線，所述第二引線的第一端與所述半導體襯底電連接，第二端用于接受第二電壓。

4.根據權利要求3所述的光電二極管器件，其特征在于，

所述半導體襯底為P型襯底，所述第一摻雜區和所述第三摻雜區為N型摻雜區，所述第二摻雜區為P型摻雜區；

其中，所述第一電壓大于第二電壓。

5.根據權利要求3所述的光電二極管器件，其特征在于，

所述半導體襯底為N型襯底，所述第一摻雜區和所述第三摻雜區為P型摻雜區，所述第二摻雜區為N型摻雜區；

其中，所述第一電壓小于第二電壓。

6.根據權利要求2所述的光電二極管器件，其特征在于，所述光電二極管器件還包括：

第一引線，所述第一引線的第一端與所述第一電極電連接，第二端用于接收第一電壓；以及，

第二引線，所述第二引線的第一端與所述第四摻雜區電連接，第二端用于接受第三電壓。

7.根據權利要求6所述的光電二極管器件，其特征在于，

所述半導體襯底為P型襯底，所述第一摻雜區和所述第三摻雜區為N型摻雜區，所述第二摻雜區為P型摻雜區；

其中，第一電壓大于第三電壓。

8.根據權利要求6所述的光電二極管器件，其特征在于，

所述半導體襯底為N型襯底，所述第一摻雜區和所述第三摻雜區為P型摻雜區，所述第二摻雜區為N型摻雜區；

其中，所述第一電壓小于第三電壓。

9.根據權利要求1所述的光電二極管器件，其特征在于，所述光電二極管器件還包括：

第二電極，設置于所述第二摻雜區遠離所述第二表面的一側，且與所述第二摻雜區電連接。

10.一種光敏探測器，其特征在于，包括：

光電二極管陣列，所述光電二極管陣列包括如權利要求1～9中任一項所述的光電二極管器件。

11.一種檢測裝置，其特征在于，包括：

發射器，用于向待測物體發射檢測光線；

如權利要求10所述的光敏探測器，用于接收所述檢測光線經過所述待測物體反射后的反射光線。