[發(fā)明專利]一種BMS-AFF低邊驅(qū)動轉(zhuǎn)高邊驅(qū)動的裝置和方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210843150.3
• 申請日: 2022-07-18
• 公開（公告）號: CN115118263A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳偉虎
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳鵬申科技有限公司
• 主分類號: H03K17/296
• 分類號: H03K17/296;H03K17/687;H01M10/42
• 代理公司: 深圳市盛果果知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44756
• 代理人: 吳俊瑩

本發(fā)明公開了一種BMS?AFF低邊驅(qū)動轉(zhuǎn)高邊驅(qū)動的裝置和方法，該裝置包括自鎖式低功耗導(dǎo)通速度可調(diào)電路模塊、自鎖式低功耗關(guān)斷速度可調(diào)電路模塊以及受控PMONS管Q3；所述自鎖式低功耗導(dǎo)通速度可調(diào)電路模塊、自鎖式低功耗關(guān)斷速度可調(diào)電路模塊同時作用于受控PMONS管Q3，現(xiàn)有的DSG?EN接入端口/CHG?EN端口/PCHG?EN端口/PDSG?EN端口分別和自鎖式低功耗導(dǎo)通速度可調(diào)電路模塊、自鎖式低功耗關(guān)斷速度可調(diào)電路模塊連接，本發(fā)明可依據(jù)實際應(yīng)用場景選擇合適的導(dǎo)通驅(qū)動速度和關(guān)斷驅(qū)動速度；且驅(qū)動電路本身沒有額外的功耗，滿足低功耗應(yīng)用要求的場景。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及BMS-AFF驅(qū)動領(lǐng)域，特別涉及一種BMS-AFF低邊驅(qū)動轉(zhuǎn)高邊的驅(qū)動裝置和方法。

背景技術(shù)

BMS(電池管理系統(tǒng)Battery Control System)是專門開發(fā)用于管理二次電池的一種系統(tǒng)，它不僅僅用于汽車上，還應(yīng)用在很多使用二次電池的領(lǐng)域。

現(xiàn)有可充電電池包BMS中使用低邊驅(qū)動方案的AFE芯片是不能直接應(yīng)用于高邊驅(qū)動的場景，如果需要使用現(xiàn)有AFE低邊驅(qū)動方案來實現(xiàn)高邊驅(qū)動，那么需要使用轉(zhuǎn)換電路，如圖1所示：現(xiàn)有技術(shù)中有廣泛使用的帶電荷泵的低邊轉(zhuǎn)高邊驅(qū)動NMOS的驅(qū)動轉(zhuǎn)換IC(如TIBQ76200)，但在較小電流的應(yīng)用場景，如幾個安培級，同規(guī)格的PMOS和NMOS的價差已經(jīng)和低邊轉(zhuǎn)高邊的電荷泵驅(qū)動轉(zhuǎn)換驅(qū)動IC的價格相當(dāng)了，甚至更高，而且驅(qū)動高邊NMOS的電荷泵電路本身會額外耗電，所以這個場景下低邊轉(zhuǎn)高邊驅(qū)動PMOS會更經(jīng)濟更實用。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為了解決上述技術(shù)問題，提供了低成本低、功耗低的低邊驅(qū)動轉(zhuǎn)高邊驅(qū)動的驅(qū)動裝置和方法。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：一種BMS-AFF低邊驅(qū)動轉(zhuǎn)高邊驅(qū)動的裝置，包括自鎖式低功耗導(dǎo)通速度可調(diào)電路模塊、自鎖式低功耗關(guān)斷速度可調(diào)電路模塊以及受控PMONS管Q3；所述自鎖式低功耗導(dǎo)通速度可調(diào)電路模塊、自鎖式低功耗關(guān)斷速度可調(diào)電路模塊同時作用于受控PMONS管Q3，現(xiàn)有的DSG-EN接入端口/CHG-EN端口/PCHG-EN端口/PDSG-EN端口分別和自鎖式低功耗導(dǎo)通速度可調(diào)電路模塊、自鎖式低功耗關(guān)斷速度可調(diào)電路模塊連接。

其中，優(yōu)選方案為：所述自鎖式低功耗導(dǎo)通速度可調(diào)電路模塊包括第一驅(qū)動電平翻轉(zhuǎn)電路、導(dǎo)通速度控制電路、PMOS管充電電路、導(dǎo)通時間控制模塊、第一穩(wěn)態(tài)低功耗電路以及自鎖關(guān)斷電路復(fù)位電路，其中，所述第一驅(qū)動電平翻轉(zhuǎn)電路一端接地，另一端連接導(dǎo)通速度控制電路，后連接PMOS管充電電路作用于受控PMONS管Q3，DSG-EN接入端口/CHG-EN端口/PCHG-EN端口/PDSG-EN端口和所述導(dǎo)通時間控制模塊連接，所述導(dǎo)通時間控制模塊和第一穩(wěn)態(tài)低功耗電路連接，DSG-EN接入端口/CHG-EN端口/PCHG-EN端口/PDSG-EN端口和自鎖關(guān)斷電路復(fù)位電路。

其中，優(yōu)選方案為：第一、二驅(qū)動電平翻轉(zhuǎn)電路為繼電器、光耦、BJT電子開關(guān)。

其中，優(yōu)選方案為：所述自鎖式低功耗導(dǎo)通速度可調(diào)電路模塊包括一穩(wěn)壓二極管ZD3的K端和CHG_EN端口的受控PMOS管Q3的S端口連接；所述穩(wěn)壓二極管ZD3的A端并聯(lián)第六電阻R6后和受控PMOS管Q3的G端口連接；第二十電阻R20的一端和受控PMOS管Q3的G端口連接，另一端和第十三三極管Q13的E極連接，所述第十三三極管Q13的基極B一路通過第二十二電阻R22和E極連接；所述第十三三極管Q13的B極的另一路連接第三電容C3后連接在第十PMOS管Q10的D端口；第十三三極管Q13的C極的一路通過第十電阻R10和E極連接，第十三三極管Q13的C極的另一路和第十PMOS管Q10的D端口，所述第二十電阻R20的阻值、第三電容C3的大小來調(diào)節(jié)充電速度。