[發明專利]一種熱壓后退火改善硒化鎘薄膜質量的方法

在審

• 申請號: 202210842993.1
• 申請日: 2022-07-18
• 公開（公告）號: CN115295667A
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 唐江;楊許可;陳超;李康華;薛家有;盧岳;包曉慶
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 許恒恒

1.一種熱壓后退火改善硒化鎘薄膜質量的方法，其特征在于，該方法是以硒化鎘薄膜為處理對象，在保護性氣體的氣氛環境下，將硒化鎘薄膜直接與導熱基底貼合，同時對所述硒化鎘薄膜施加壓力，在保持壓力條件下進行加熱退火；由此得到的退火后的硒化鎘薄膜相較于處理前的硒化鎘薄膜，晶粒尺寸更大、且薄膜孔隙率更小；

其中，所述導熱基底與所述硒化鎘薄膜之間不發生化學反應。

2.如權利要求1所述熱壓后退火改善硒化鎘薄膜質量的方法，其特征在于，所述施加壓力具體是通過在所述硒化鎘薄膜上方放置物品實現的，通過該物品的重力作用，實現對所述硒化鎘薄膜的加壓。

3.如權利要求2所述熱壓后退火改善硒化鎘薄膜質量的方法，其特征在于，所述物品能夠為硒化鎘薄膜整體提供(1.6～6.4)×10⁵Pa的壓力。

4.如權利要求1所述熱壓后退火改善硒化鎘薄膜質量的方法，其特征在于，所述保護性氣體為氮氣或惰性氣體；優選的，所述惰性氣體為氬氣。

5.如權利要求1所述熱壓后退火改善硒化鎘薄膜質量的方法，其特征在于，所述加熱退火是在480℃～540℃的溫度下進行的。

6.如權利要求1所述熱壓后退火改善硒化鎘薄膜質量的方法，其特征在于，所述加熱退火的退火時間為0.5h～2h。