[發明專利]一種超表面OLED顯示結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202210835653.6
• 申請日: 2022-07-15
• 公開（公告）號: CN115117138A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 余劍輝
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 福州君誠知識產權代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

1.一種超表面OLED顯示結構，其特征在于：其包括從下至上依次疊加的基材、meta-FP鏡面層、發光層和FP鏡面層， meta-FP鏡面層具有多個meta-FP鏡面，每個meta-FP鏡面上刻蝕有實現特定波長的納米結構；發光層，即OLED像素點陣，發光層由紅R、綠G、藍B三種子像素組成一個像素，發光層的子像素顯示尺寸與meta-FP鏡面顯示范圍相同，子像素是結構形貌與對應的meta-FP鏡面上的納米結構相同；meta-FP鏡面上的納米結構激發發光層發射出相應波長的光實現多彩顯示；FP鏡面層設在發光層的上表面，FP鏡面層與發光層共同組成法布里－珀羅光學微腔。

2.根據權利要求1所述的一種超表面OLED顯示結構，其特征在于：發光層的底面設有金屬陽極，發光層的上表面設有金屬陰極；FP鏡面層的上表面設有封裝層。

3.根據權利要求1所述的一種超表面OLED顯示結構，其特征在于：納米結構的同一行采用相同截面形狀的柱狀體，不同行采用不同截面形狀的柱狀體；或者同一個納米結構中所有行列中柱狀體的截面形狀相同。

4.根據權利要求1所述的一種超表面OLED顯示結構，其特征在于：同一種RGB子像素具有相同的結構形貌，不同的RGB子像素的結構形貌相同或者不同。

5.根據權利要求1所述的一種超表面OLED顯示結構，其特征在于：發光層的子像素的納米結構為3*1、3*2或3*3陣列結構，其中3*1陣列表示單個RGB子像素形成一個OLED像素，3*2陣列表示兩個RGB子像素形成一個OLED像素，3*3陣列表示三個RGB子像素形成一個OLED像素。

6.根據權利要求1所述的一種超表面OLED顯示結構，其特征在于：RGB子像素中B子像素比例低于R子像素和G子像素，B子像素的柱高尺寸低于R子像素和G子像素。

7.根據權利要求1所述的一種超表面OLED顯示結構，其特征在于：根據不同OLED像素結構的需求，在同一meta-FP鏡面光刻不同尺寸的不同形貌的納米結構。

8.一種超表面OLED顯示結構的制備方法，用于制備權利要求1至7任一項所述的一種超表面OLED顯示結構，其特征在于：方法包括以下步驟：

步驟1，利用硅片作為基底，通過電子束及反應性離子刻蝕工藝在硅基底形成特定尺寸的特定圖案；

步驟2，在硅基底涂布一層聚合物將圖案化轉印至基底上；

步驟3，在基底蒸鍍meta-FP金屬鏡片基材，以在基底上形成納米結構的meta-FP鏡面層；

步驟4，在meta-FP金屬鏡片基材上沉積OLED像素點陣作為發光層，并保證OLED像素點陣的子像素是結構形貌與對應的meta-FP鏡面上的納米結構相同；

步驟5，在發光層的上表面制作FP鏡面層，以形成超表面OLED顯示結構。

9.根據權利要求8所述的一種超表面OLED顯示結構的制備方法，其特征在于：步驟1中基底的特定圖案的尺寸范圍為：直徑φ為10nm~10um，高度H為10nm~10um。

10.根據權利要求8所述的一種超表面OLED顯示結構的制備方法，其特征在于：步驟2中的聚合物為聚氟乙烯。