[發明專利]一種發光二極管芯片、發光裝置及顯示裝置

在審

• 申請號: 202210818983.4
• 申請日: 2021-06-17
• 公開（公告）號: CN115101642A
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發明（設計）人: 洪靈愿;劉小亮;王慶;何敏游;張中英
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L27/15;G09F9/30;F21K9/20;F21Y115/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管芯片，包括外延結構、絕緣層和金屬電極，所述外延結構包括第一導電類型半導體層、發光層和第二導電類型半導體層，其特征在于：

所述外延結構上具有第一電極，第一電極上具有所述絕緣層；所述絕緣層上具有第二電極；

所述絕緣層上具有導電通孔結構；所述導電通孔具有相對的上開口和下開口，所述導電通孔的下開口位于所述第一電極的上表面上，在所述導電通孔另一側的上開口處具有第二電極；所述第二電極同時填充所述導電通孔電連接所述第一電極；

所述導電通孔上開口與下開口之間有連接側壁，至少部分連接側壁呈向上開口凸起的弧形結構。

2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述導電通孔上開口至少一個邊緣端點在水平面的垂直投影點分布在所述第一電極的上表面在水平面的垂直投影線段外。

3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述的弧形結構延伸至所述的導電通孔的連接側壁的上開口端點處。

4.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一電極的上表面的寬度大于絕緣層導電通孔的下開口的寬度。

5.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述導電通孔的縱向深度在2μm以上。

6.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述的絕緣層包括DBR反射層。

7.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述連接側壁為呈向上開口凸起的弧形。

8.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述的弧形結構延伸至所述的導電通孔的連接側壁的頂部端點處。

9.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述弧形結構的各點切線相對于第一電極上表面的傾斜角自上而下依次遞增。

10.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述連接側壁頂部端點切線相對于第一電極的上表面角度在20°~ 60°之間。

11.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一電極具有傾斜側壁，所述傾斜側壁底部的水平傾斜角為不大于45°。

12.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述的第一電極包括含Al合金的膜層。

13.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述的第一電極包括含AlCu合金的膜層。

14.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述的第一電極不含金元素層。

15.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一電極的厚度不超過500nm。

16.根據權利要求1~15任一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述的第二電極上還包括另一絕緣層，所述的另一絕緣層上還有第三電極，另一絕緣層具有通孔露出部分第二電極的上表面，第三電極填充另一絕緣層的通孔與第二電極連接。

17.根據權利要求16所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述的另一絕緣層的通孔內側壁與通孔內底部第二電極的上表面之間的夾角在10~60°之間。

18.根據權利要求17所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述的另一絕緣層的厚度在800~2000nm之間。