[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置

在審

• 申請號: 202210798536.7
• 申請日: 2022-07-06
• 公開（公告）號: CN115132762A
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 羅傳寶
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 熊恒定

1.一種陣列基板，其特征在于，包括基底以及設于所述基底的一側的薄膜晶體管層，所述薄膜晶體管層包括感光單元和驅動單元，所述感光單元包括感光薄膜晶體管，所述驅動單元包括驅動薄膜晶體管，且其中，所述薄膜晶體管層具體包括：

源漏極層，設于所述基底的一側，并用于向所述感光薄膜晶體管和所述驅動薄膜晶體管提供源極和漏極；

第一半導體層和第二半導體層，設于所述源漏極層背離所述基底的一側，所述第二半導體層用于向所述感光薄膜晶體管提供有源層，所述第一半導體層用于向所述驅動薄膜晶體管提供有源層，且所述第二半導體層的材質包括非晶硅，所述第一半導體層的材質包括多晶硅；

第一柵極層和第二柵極層，所述第二柵極層設于所述第二半導體層背離所述源漏極層的一側，并用于向所述感光薄膜晶體管提供柵極，所述第一柵極層設于所述第一半導體層背離所述源漏極層的一側，并用于向所述驅動薄膜晶體管提供柵極。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述感光單元還包括讀取薄膜晶體管，且所述源漏極層還用于向所述讀取薄膜晶體管提供源極和漏極，所述第一半導體層還用于向所述讀取薄膜晶體管提供有源層，所述第一柵極層還用于向所述讀取薄膜晶體管提供柵極。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管層還包括：

第一遮光層，設于所述基底與所述第一半導體層之間，并覆蓋所述讀取薄膜晶體管的源極和漏極以及所述驅動薄膜晶體管的源極和漏極。

4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管層還包括：

柵絕緣層，設于所述第一半導體層和所述第二半導體層背離所述基底的一側，且所述第一柵極層和所述第二柵極層設于所述柵絕緣層背離所述基底的一側；

鈍化層，設于所述源漏極層背離所述基底的一側，并覆蓋所述第一半導體層、所述第二半導體層、所述柵絕緣層、所述第一柵極層，且所述第二柵極層設于所述鈍化層背離所述基底的一側。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管層還包括：

電連接層，設于所述鈍化層背離所述基底的一側，并用于將所述感光薄膜晶體管的源極或漏極電連接至所述讀取薄膜晶體管的柵極。

6.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管層還包括：

第二遮光層，設于所述鈍化層背離所述基底的一側，且所述第二遮光層在所述基底上的正投影包含所述讀取薄膜晶體管的有源層中溝道區在所述基底上的正投影、以及所述驅動薄膜晶體管的有源層中溝道區在所述基底上的正投影。

7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底的一側形成薄膜晶體管層，所述薄膜晶體管層包括感光單元和驅動單元，所述感光單元包括感光薄膜晶體管，所述驅動單元包括驅動薄膜晶體管，且其中，所述薄膜晶體管層具體包括：源漏極層，設于所述基底的一側，并用于向所述感光薄膜晶體管和所述驅動薄膜晶體管提供源極和漏極；第一半導體層和第二半導體層，設于所述源漏極層背離所述基底的一側，所述第二半導體層用于向所述感光薄膜晶體管提供有源層，所述第一半導體層用于向所述驅動薄膜晶體管提供有源層，且所述第二半導體層的材質包括非晶硅，所述第一半導體層的材質包括多晶硅；第一柵極層和第二柵極層，所述第二柵極層設于所述第二半導體層背離所述源漏極層的一側，并用于向所述感光薄膜晶體管提供柵極，所述第一柵極層設于所述第一半導體層背離所述源漏極層的一側，并用于向所述驅動薄膜晶體管提供柵極。

8.根據權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述感光單元還包括讀取薄膜晶體管，且所述源漏極層還用于向所述讀取薄膜晶體管提供源極和漏極，所述第一半導體層還用于向所述讀取薄膜晶體管提供有源層，所述第一柵極層還用于向所述讀取薄膜晶體管提供柵極。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-6任一項所述的陣列基板。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求9所述的顯示面板。