[發明專利]一種紫外器件封裝結構及制作方法

在審

• 申請號: 202210780387.1
• 申請日: 2022-07-05
• 公開（公告）號: CN114864796A
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 至芯半導體（杭州）有限公司
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/48
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 孫玲

1.一種紫外器件封裝結構，其特征在于，包括：

芯片；

透鏡，所述透鏡具有容置孔，所述芯片設置于所述容置孔內；

基板，所述基板上設置第一導通元件，所述第一導通元件與所述芯片相連，所述芯片能夠利用所述第一導通元件與外部元件導通，且所述基板利用所述第一導通元件與所述透鏡密封連接，所述基板封堵所述容置孔形成密閉的封裝腔體，所述封裝腔體內填充保護氣體。

2.根據權利要求1所述的紫外器件封裝結構，其特征在于：所述第一導通元件為分體式結構，所述第一導通元件包括導通板和連接板，所述導通板的數量為兩片，兩片所述導通板分別與所述芯片相連，且兩片所述導通板之間具有間隙，所述導通板由導電材質制成，所述連接板連接所述基板與所述透鏡。

3.根據權利要求2所述的紫外器件封裝結構，其特征在于：所述連接板為環狀結構，所述透鏡具有與所述連接板相適配的凸臺，所述凸臺伸入所述連接板的中空部并與所述基板相抵。

4.根據權利要求3所述的紫外器件封裝結構，其特征在于：所述透鏡具有連接結構層，所述連接結構層為環狀，所述連接結構層環繞所述凸臺設置，所述連接結構層與所述連接板焊接相連。

5.根據權利要求2所述的紫外器件封裝結構，其特征在于：所述基板還連接有第二導通元件，所述基板位于所述第一導通元件與所述第二導通元件之間，所述第二導通元件由導電材質制成，所述第二導通元件的數量為兩組，所述第二導通元件與所述導通板相連且一一對應，兩組所述第二導通元件之間具有間隙。

6.根據權利要求5所述的紫外器件封裝結構，其特征在于：所述第二導通元件利用連接柱與所述導通板相連，所述基板具有通孔，所述連接柱穿過所述通孔連接所述導通板與所述第二導通元件。

7.根據權利要求5所述的紫外器件封裝結構，其特征在于：所述第二導通元件連接有焊盤，所述焊盤的數量為兩組，所述焊盤與所述第二導通元件一一對應，兩組所述焊盤之間具有間隙。

8.根據權利要求1所述的紫外器件封裝結構，其特征在于：所述透鏡遠離所述基板的一端為球狀結構，所述容置孔為圓臺狀結構，所述容置孔的底面為入射面，所述容置孔的開口直徑較所述入射面的直徑小，所述容置孔的錐面側壁為聚光面。

9.根據權利要求8所述的紫外器件封裝結構，其特征在于：所述聚光面設置有紫外光線高反射薄膜鍍層。

10.一種如權利要求1-9任一項所述的紫外器件封裝結構的制作方法，其特征在于：將所述芯片放入所述容置孔中，將所述透鏡與所述基板相抵，將所述芯片、所述透鏡以及所述基板放入共晶爐中，對所述共晶爐進行抽真空，然后向所述共晶爐內充入所述保護氣體，所述保護氣體進入所述容置孔中，控制所述共晶爐的溫度，通過所述第一導通元件使所述透鏡與所述基板實現共晶焊接，所述基板與所述透鏡連接后封堵所述容置孔并形成所述封裝腔體，所述芯片以及所述保護氣體被封裝在所述封裝腔體內。