[發明專利]單光子雪崩二極管的擊穿電壓的校準方法、裝置及電路

在審

• 申請號: 202210766331.0
• 申請日: 2022-06-30
• 公開（公告）號: CN115015716A
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 許伯彰;許維德;施宇豪;黃駿揚;劉乃碩;黃大虔;黃世豪
• 申請（專利權）人: 思博特集成科技（珠海橫琴）有限公司;奕富通集成科技（上海）有限公司
• 主分類號: G01R31/12
• 分類號: G01R31/12;G01R31/26;G01R35/00
• 代理公司: 北京集慧星企專利代理事務所(普通合伙) 16112
• 代理人: 吳應永

1.一種單光子雪崩二極管的擊穿電壓的校準方法，其特征在于，包括以下步驟：

查找預存在數據庫內的單光子雪崩二極管的標準擊穿電壓；

對單光子雪崩二極管施加大于標準擊穿電壓的偏置電壓；

若檢測單光子雪崩二極管發生雪崩，則獲取所述偏置電壓和所述標準擊穿電壓的差值并基于所述差值更新所述單光子雪崩二極管的實際擊穿電壓，并更新在數據庫內。

2.如權利要求1所述的單光子雪崩二極管的擊穿電壓的校準方法，其特征在于，所述單光子雪崩二極管的表面設有信息標識，所述單光子雪崩二極管的標準擊穿電壓數值儲存在所述信息標識中在經掃描后被讀取。

3.如權利要求2所述的單光子雪崩二極管的擊穿電壓的校準方法，其特征在于，所述信息標識為二維碼或條形碼。

4.如權利要求2所述的單光子雪崩二極管的擊穿電壓的校準方法，其特征在于，所述調整預存在數據庫內的標準擊穿電壓的步驟包括：

在調整所述單光子雪崩二極管的實際擊穿電壓后將其更新在所述信息標識中，在掃描所述信息標識后，同時顯示所述標準擊穿電壓和所述實際擊穿電壓。

5.如權利要求2所述的單光子雪崩二極管的擊穿電壓的校準方法，其特征在于，所述調整預存在數據庫內的標準擊穿電壓的步驟包括：

在調整所述單光子雪崩二極管的實際擊穿電壓后將其更新在所述信息標識中，并覆蓋所述標準擊穿電壓，在掃描所述信息標識后，僅顯示所述實際擊穿電壓。

6.如權利要求5所述的單光子雪崩二極管的擊穿電壓的校準方法，其特征在于，所述若檢測單光子雪崩二極管發生雪崩的步驟之后，所述方法包括：

階段式的降低施加在單光子雪崩二極管上的偏置電壓，直至單光子雪崩二極管不再發生雪崩。

7.一種單光子雪崩二極管的擊穿電壓的校準裝置，其特征在于，所述校準裝置包括：

查找模塊，所述查找模塊用于查找預存在數據庫內的單光子雪崩二極管的標準擊穿電壓；

施加電壓模塊，所述施加電壓模塊用于對單光子雪崩二極管施加大于標準擊穿電壓的偏置電壓；

數據處理模塊，所述數據處理模塊用于在檢測單光子雪崩二極管發生雪崩時獲取所述偏置電壓和所述標準擊穿電壓的差值并基于所述差值更新所述單光子雪崩二極管的實際擊穿電壓，并更新在數據庫內。

8.一種單光子雪崩二極管的擊穿電壓的校準電路，其特征在于，所述單光子雪崩二極管的擊穿電壓的校準電路應用如權利要求1-7中任一項所述的單光子雪崩二極管的擊穿電壓的校準方法。

9.一種淬滅電路，其特征在于，所述淬滅電路包括如權利要求8所述的單光子雪崩二極管的擊穿電壓的校準電路。