[發(fā)明專利]一種環(huán)形軸對稱紫外預(yù)電離觸發(fā)結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210759720.0 | 申請日: | 2022-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN115249950B | 公開(公告)日: | 2023-07-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫鳳舉;姜曉峰;王志國;降宏瑜;樓成;邱愛慈 | 申請(專利權(quán))人: | 西北核技術(shù)研究所 |
| 主分類號: | H01T2/00 | 分類號: | H01T2/00;H01T1/00 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人: | 楊引雪 |
| 地址: | 710024 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 環(huán)形 軸對稱 紫外 電離 觸發(fā) 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種環(huán)形軸對稱紫外預(yù)電離觸發(fā)結(jié)構(gòu),其特征在于:包括環(huán)形電極(1)、設(shè)置在環(huán)形電極(1)外壁的三個絕緣支柱(5),以及設(shè)置在環(huán)形電極(1)內(nèi)孔的第一圓錐臺電極(2)、第二圓錐臺電極(3)、三個扇形環(huán)絕緣板(4);
所述環(huán)形電極(1)內(nèi)壁設(shè)置有環(huán)形凹槽,環(huán)形電極(1)外壁設(shè)置有三個圓周均布的徑向凹槽扇形環(huán)絕緣板;所述三個扇形環(huán)絕緣板(4)圓周均布于環(huán)形電極(1)內(nèi)孔,三個扇形環(huán)絕緣板(4)的外環(huán)面位于環(huán)形凹槽內(nèi);所述三個絕緣支柱(5)一端位于徑向凹槽內(nèi),另一端設(shè)置在氣體開關(guān)的絕緣外殼(01)內(nèi)壁上;
所述第一圓錐臺電極(2)頂面的面積大于底面的面積,第二圓錐臺電極(3)頂面的面積小于底面的面積,第一圓錐臺電極(2)和第二圓錐臺電極(3)的側(cè)壁均為內(nèi)凹弧面;第一圓錐臺電極(2)底面設(shè)置有螺桿(21);所述第二圓錐臺電極(3)頂面設(shè)置有螺孔(31);所述螺桿(21)穿過三個扇形環(huán)絕緣板(4)內(nèi)環(huán)面構(gòu)成的通孔后固定在螺孔(31)內(nèi),將三個扇形環(huán)絕緣板(4)的內(nèi)環(huán)面壓緊在第一圓錐臺電極(2)底面與第二圓錐臺電極(3)頂面之間;
所述環(huán)形電極(1)、第一圓錐臺電極(2)、第二圓錐臺電極(3)沿三個扇形環(huán)絕緣板(4)所在平面對稱;
第一圓錐臺電極(2)頂面邊緣、第二圓錐臺電極(3)底面邊緣與環(huán)形電極(1)內(nèi)壁之間形成的兩個環(huán)形間隙構(gòu)成紫外預(yù)電離間隙結(jié)構(gòu),紫外預(yù)電離間隙結(jié)構(gòu)的軸向高度小于環(huán)形電極(1)的軸向高度;
從氣體開關(guān)的絕緣外殼(01)外引入的觸發(fā)脈沖通過觸發(fā)電極(02)扇形環(huán)絕緣板施加到第一圓錐臺電極(2)、第二圓錐臺電極(3)上,擊穿紫外預(yù)電離間隙結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種環(huán)形軸對稱紫外預(yù)電離觸發(fā)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一圓錐臺電極(2)頂面邊緣、第二圓錐臺電極(3)底面邊緣與環(huán)形電極(1)內(nèi)壁之間的徑向距離小于絕緣支撐板有效沿面距離的1/3,絕緣支撐板有效沿面距離等于第一圓錐臺電極(2)底面邊緣與環(huán)形電極(1)內(nèi)壁之間的徑向距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種環(huán)形軸對稱紫外預(yù)電離觸發(fā)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一圓錐臺電極(2)側(cè)壁的曲率隨著靠近第一圓錐臺電極(2)頂面逐漸減小,且曲率半徑不大于1mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種環(huán)形軸對稱紫外預(yù)電離觸發(fā)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一圓錐臺電極(2)頂面邊緣、第二圓錐臺電極(3)底面邊緣與環(huán)形電極(1)內(nèi)壁之間的徑向距離為1~3mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種環(huán)形軸對稱紫外預(yù)電離觸發(fā)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述環(huán)形電極(1)內(nèi)壁環(huán)面的上端與第一圓錐臺電極(2)頂面之間的軸向距離、環(huán)形電極(1)內(nèi)壁環(huán)面的下端與第二圓錐臺電極(3)底面之間的軸向距離為1~2mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述一種環(huán)形軸對稱紫外預(yù)電離觸發(fā)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述三個扇形環(huán)絕緣板(4)上均設(shè)置有位于第一圓錐臺電極(2)側(cè)壁與環(huán)形電極(1)內(nèi)壁之間的調(diào)整孔(41)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種環(huán)形軸對稱紫外預(yù)電離觸發(fā)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一圓錐臺電極(2)頂面上設(shè)置有至少一個凹槽(22)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述一種環(huán)形軸對稱紫外預(yù)電離觸發(fā)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述三個扇形環(huán)絕緣板(4)的圓心角角度為65~75°。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西北核技術(shù)研究所,未經(jīng)西北核技術(shù)研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210759720.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





