[發明專利]一種無蠟拋光吸附墊負壓熱貼合工藝

在審

• 申請號: 202210752134.3
• 申請日: 2022-06-28
• 公開（公告）號: CN115106927A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 黃軍慧
• 申請（專利權）人: 東莞市盈鑫半導體材料有限公司
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;C30B33/00;C30B29/42
• 代理公司: 北京卓嵐智財知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11624
• 代理人: 田野

本申請涉及半導體加工技術領域，更具體地說，它涉及一種無蠟拋光吸附墊負壓熱貼合工藝，首先將待拋光砷化鎵晶片置于第一陶瓷盤中的吸附墊模具中，所述吸附墊模具設置有若干個用于容置拋光砷化鎵晶片的容置孔；之后由所述第一陶瓷盤向第二陶瓷盤靠近輸送，直至第一陶瓷盤和第二陶瓷盤對稱放置；再由第二陶瓷盤向第一陶瓷盤表面擠壓貼合，構成待拋光砷化鎵晶片拋光的密閉空間；在密閉空間內的待拋光砷化鎵晶片，通過在第一、第二陶瓷盤的擠壓下，同時提升密閉空間內的加熱溫度、壓強以及密封時間，對砷化鎵晶片進行無蠟拋光。本申請摒棄了傳統的上蠟拋光工藝方式，不僅簡化了上蠟、粗拋以及精拋等多個工藝手續，減少了降溫冷卻時間，提高了生產效率。

技術領域

本申請涉及半導體加工技術領域，更具體地說，它涉及一種無蠟拋光吸附墊負壓熱貼合工藝。

背景技術

目前半導體行業對中對超薄晶片的加工都是采用上蠟拋光工藝：具體的拋光工藝流程如下：

(1)用人工或上蠟貼片裝置借助石蠟將待拋光的晶片粘貼在陶瓷盤上；(2) 在腔室內真空環境下借助吸蠟紙將多余的蠟吸附；(3)用酒精清潔晶片表面的蠟；(4)在專用的拋光機下用CMP方法粗拋，精拋；(4)將拋光完成的晶片在甩干桶內甩干；(5)并在專用電爐上加熱陶瓷盤，使蠟熔化后，再用不銹鋼鏟具取下晶片；(6)晶片化蠟及清洗；該拋光工藝的缺陷；

(1)晶片薄，導致在腔室真空條件下吸蠟過程中極易出現碎片；

(2)上蠟、粗拋需經過多次作業，碎片率高；

(3)在專用電爐上加熱陶瓷盤，再取出過程中，受高溫影響，很難立即取出，嚴重降低生產效率。

發明內容

針對上述現有技術的不足，本申請的目的是提供一種無蠟拋光吸附墊負壓熱貼合工藝，具有操作簡單、簡化工藝、提升良品率、縮短降溫時間以及提升效率的優點。

本申請的上述技術目的是通過以下技術方案得以實現的：一種無蠟拋光吸附墊負壓熱貼合工藝，包括步驟：S1，將待拋光砷化鎵晶片置于第一陶瓷盤中的吸附墊模具中，所述吸附墊模具設置有若干個用于容置拋光砷化鎵晶片的容置孔；

S2，完成步驟S1的拋光砷化鎵晶片，由所述第一陶瓷盤向靠近第二陶瓷盤輸送，直至第一陶瓷盤和第二陶瓷盤對稱放置；

S3，對稱放置的第一陶瓷盤和第二陶瓷盤，由第二陶瓷盤向第一陶瓷盤表面擠壓貼合，構成待拋光砷化鎵晶片拋光的密閉空間；

S4，在密閉空間內的待拋光砷化鎵晶片，通過在第一、第二陶瓷盤的擠壓下，同時提升密閉空間內的加熱溫度、壓強以及密封時間，對砷化鎵晶片進行無蠟拋光；

S5，完成S4后的砷化鎵晶片，由第一陶瓷盤將其通過輸送帶輸送至冷卻腔體內，在冷卻腔體內進行降溫處理，降溫處理后的砷化鎵晶片由第一陶瓷盤輸送回S1的初始位置。

優選的，在密閉空間內通過外置氣泵對其抽真空，產生負壓，負壓范圍在0～-0.99MPA之間。

優選的，所述加熱溫度為30～200℃。

優選的，該密閉空間在S4處理的密封時間為5～10min。

優選的，所述冷卻腔體內的冷卻時間為5～10min。

優選的，所述冷卻腔體的降溫溫度為零下5～20℃。