[發明專利]一種無蠟拋光吸附墊正壓熱貼合工藝在審
| 申請號： | 202210752125.4 | 申請日： | 2022-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN115008341A | 公開（公告）日： | 2022-09-06 |
| 發明（設計）人： | 黃軍慧 | 申請（專利權）人： | 東莞市盈鑫半導體材料有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/10 | 分類號： | B24B37/10;B24B37/30;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京卓嵐智財知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人： | 田野 |
| 地址： | 523000 廣東省東莞*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 拋光 吸附 正壓 貼合 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種無蠟拋光吸附墊正壓熱貼合工藝，其特征是：包括以下步驟：
S1，將待拋光砷化鎵晶片置于第一陶瓷盤中的吸附墊模具中，所述吸附墊模具設置有若干個用于容置拋光砷化鎵晶片的容置孔；
S2，完成步驟S1的拋光砷化鎵晶片，由所述第一陶瓷盤向第二陶瓷盤靠近輸送，直至第一陶瓷盤和第二陶瓷盤對稱放置；
S3，對稱放置的第一陶瓷盤和第二陶瓷盤，由第二陶瓷盤向第一陶瓷盤表面擠壓貼合，構成待拋光砷化鎵晶片拋光的密閉空間；
S4，在密閉空間內的待拋光砷化鎵晶片，通過在第一、第二陶瓷盤的擠壓下，同時提升密閉空間內的溫度、擠壓強度以及擠壓時間，對砷化鎵晶片進行無蠟拋光。
2.根據權利要求1所述的一種無蠟拋光吸附墊正壓熱貼合工藝，其特征是：所述第一陶瓷盤或者所述第二陶瓷盤的盤平平整度為3～5um。
3.根據權利要求1所述的一種無蠟拋光吸附墊正壓熱貼合工藝，其特征是：所述溫度為30～200℃。
4.根據權利要求1所述的一種無蠟拋光吸附墊正壓熱貼合工藝，其特征是：所述擠壓強度為200～1000kg。
5.根據權利要求1所述的一種無蠟拋光吸附墊正壓熱貼合工藝，其特征是：所述擠壓時間5～10min。
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