[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于氧化鋅量子點(diǎn)的電致白光發(fā)光二極管及制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210724276.9 | 申請(qǐng)日: | 2022-06-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115050903A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-09-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳歷相;雷衍連;趙永霜;江浩弘 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 西南大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L51/50 | 分類(lèi)號(hào): | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 重慶強(qiáng)大凱創(chuàng)專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 50217 | 代理人: | 趙玉乾 |
| 地址: | 400700*** | 國(guó)省代碼: | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 氧化鋅 量子 白光 發(fā)光二極管 制備 方法 | ||
1.一種基于氧化鋅量子點(diǎn)的電致白光發(fā)光二極管,其特征在于:包括從下往上依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、氧化鋅量子點(diǎn)發(fā)光層和陰極;所述空穴傳輸層包括poly-TPD層、poly-TPD:CBP層和poly-TPD:TFB層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于氧化鋅量子點(diǎn)的電致白光發(fā)光二極管,其特征在于:所述poly-TPD層采用濃度為14mg/ml的poly-TPD溶液制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于氧化鋅量子點(diǎn)的電致白光發(fā)光二極管,其特征在于:所述poly-TPD:CBP層采用poly-TPD:CBP混合溶液制成,所述poly-TPD:CBP混合溶液中poly-TPD和CBP的體積比為3:2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于氧化鋅量子點(diǎn)的電致白光發(fā)光二極管,其特征在于:所述poly-TPD:TFB層采用poly-TPD:TFB混合溶液制成,所述poly-TPD:TFB混合溶液中poly-TPD和TFB的體積比為4:1。
5.一種基于氧化鋅量子點(diǎn)的電致白光發(fā)光二極管的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
配置poly-TPD溶液、poly-TPD:CBP溶液和poly-TPD:TFB溶液;
在處理好的陽(yáng)極基板上通過(guò)溶液旋涂技術(shù)依次制備空穴注入層和空穴傳輸層;再沉積氧化鋅量子點(diǎn)發(fā)光層,最后通過(guò)真空熱沉積技術(shù)制備陰極;
其中,空穴傳輸層分別采用poly-TPD溶液、poly-TPD:CBP溶液和poly-TPD:TFB溶液制備。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于氧化鋅量子點(diǎn)的電致白光發(fā)光二極管的制備方法,其特征在于:所述poly-TPD溶液的濃度為14mg/ml;所述poly-TPD:CBP混合溶液中poly-TPD和CBP的體積比為3:2;所述poly-TPD:TFB混合溶液中poly-TPD和TFB的體積比為4:1。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于氧化鋅量子點(diǎn)的電致白光發(fā)光二極管的制備方法,其特征在于:制備的空穴傳輸層分別為poly-TPD層、poly-TPD:TFB層和poly-TPD:CBP層,poly-TPD層、poly-TPD:TFB層和poly-TPD:CBP層在旋涂完成后,均采用120℃真空干燥20min處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于氧化鋅量子點(diǎn)的電致白光發(fā)光二極管的制備方法,其特征在于:空穴注入層采用PEDOT:PSS溶液制備,并得到PEDOT:PSS層后,采用100℃大氣干燥20min處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于氧化鋅量子點(diǎn)的電致白光發(fā)光二極管的制備方法,其特征在于:制備好的氧化鋅量子點(diǎn)發(fā)光層,在65℃下進(jìn)行退火30min。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于氧化鋅量子點(diǎn)的電致白光發(fā)光二極管的制備方法,其特征在于:所述陰極材料為Al,在氣壓低于2×10-4Pa的高真空條件下沉積,沉積厚度為100nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專(zhuān)門(mén)適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專(zhuān)門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





